極紫外光刻 (EUV)
HHX9QebiST sT/pA^rnnR 嚴(yán)格的 OPC 和源
優(yōu)化 HVC\(h,)i 嵌入式多層鏡面缺陷任意缺陷幾何形狀
ln3.TR* 可檢測(cè)性
'dx4L }d 印刷適性
r"0nUf*og: 離軸陰影效應(yīng)、HV 偏差(包括非常量散射系數(shù))吸收器堆棧分析(EM-Stack)吸收器輪廓(側(cè)壁和拐角圓化吸收體缺陷EUV 的 OPC(小面積)多層鏡面
結(jié)構(gòu) (PSM)
au GN~"n^ pHWol! 雙重圖案
C5eol & K[ylyQ1 光刻蝕刻 光刻蝕刻
'2%hc\P6P 光刻凍結(jié) 光刻蝕刻
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