極紫外光刻 (EUV)
16]Ay&Kn! cr<j<#(Z} 嚴(yán)格的 OPC 和源
優(yōu)化 p-_9I7? 嵌入式多層鏡面缺陷任意缺陷幾何形狀
Hc@_@G 可檢測性
AG}j'
印刷適性
}aVzr}! 離軸陰影效應(yīng)、HV 偏差(包括非常量散射系數(shù))吸收器堆棧分析(EM-Stack)吸收器輪廓(側(cè)壁和拐角圓化吸收體缺陷EUV 的 OPC(小面積)多層鏡面
結(jié)構(gòu) (PSM)
S[q:b
. aNY-F)XWa 雙重圖案
6it
[i@*" M;b3-
i 光刻蝕刻 光刻蝕刻
,u^{zYoW 光刻凍結(jié) 光刻蝕刻
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