使用
半導(dǎo)體光刻工藝量產(chǎn)平面
透鏡的詳細(xì)步驟:
/]%,C 一、設(shè)計(jì)階段
AE!WYE 首先,根據(jù)平面透鏡的預(yù)期用途(如
成像、聚焦等),使用
光學(xué)設(shè)計(jì)軟件(如 Zemax、Code V 等)來(lái)確定透鏡的光學(xué)
參數(shù)。這些參數(shù)包括焦距、數(shù)值孔徑、工作波長(zhǎng)范圍等。例如,對(duì)于一個(gè)用于可見(jiàn)光成像的平面透鏡,可能需要設(shè)計(jì)其焦距為 5mm,數(shù)值孔徑為 0.3,工作波長(zhǎng)在 400 - 700nm 之間。
HVz-i{M 根據(jù)
光學(xué)設(shè)計(jì)結(jié)果,生成透鏡的表面輪廓數(shù)據(jù)。這個(gè)輪廓數(shù)據(jù)描述了透鏡表面的高度變化,通常以數(shù)字形式存儲(chǔ),它將作為光刻工藝中的圖案設(shè)計(jì)基礎(chǔ)。
'&Ox,i]t 光刻掩模設(shè)計(jì)
{%D!~,4Ht 基于透鏡的表面輪廓數(shù)據(jù),設(shè)計(jì)光刻掩模圖案。光刻掩模是一種帶有特定圖案的模板,用于在光刻過(guò)程中控制光線的曝光區(qū)域。
g`)3m,\ 對(duì)于平面透鏡制造,掩模圖案要精確地對(duì)應(yīng)透鏡表面的高低起伏部分。例如,如果透鏡的某個(gè)區(qū)域需要凸起,在掩模上對(duì)應(yīng)的區(qū)域則是透光的,以便后續(xù)的光刻膠在該區(qū)域曝光并發(fā)生化學(xué)反應(yīng),從而形成與透鏡形狀相關(guān)的結(jié)構(gòu)。掩模圖案通常采用計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)(CAD)軟件進(jìn)行設(shè)計(jì),并且要考慮到光刻工藝的分辨率極限。例如,目前先進(jìn)的光刻技術(shù)分辨率可以達(dá)到幾
納米級(jí)別,但實(shí)際掩模設(shè)計(jì)要根據(jù)所使用的光刻設(shè)備能力來(lái)確定圖案的最小特征尺寸。
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