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摘要 g3(LDqB'.
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 r5N H* \Q LbR'nG{J 在半導(dǎo)體工業(yè)中，晶片檢測(cè)系統(tǒng)被用來(lái)檢測(cè)晶片上的缺陷并找到它們的位置。為了確保微結(jié)構(gòu)所需的圖像分辨率，檢測(cè)系統(tǒng)通常使用高NA物鏡，并且工作在UV波長(zhǎng)范圍內(nèi)。作為例子，我們建立了包括高NA聚焦和光與微結(jié)構(gòu)相互作用的完整晶片檢測(cè)系統(tǒng)的模型，并演示了成像過(guò)程。 & +yo PF |ZOdfr4uW
任務(wù)描述 v
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#WAX&< m 微結(jié)構(gòu)晶圓 g~76c.u-
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 @7{.err! s5)y %, E 通過(guò)在堆棧中定義適當(dāng)形狀的表面和介質(zhì)來(lái)模擬諸如在晶片上使用的周期性結(jié)構(gòu)的柵格結(jié)構(gòu)。然后，該堆棧可以導(dǎo)入到各種不同的組件中，具體取決于預(yù)期用途。在這種情況下，我們將堆棧加載到一般光學(xué)設(shè)置中的一個(gè)光柵組件中，以便模擬整個(gè)系統(tǒng)。有關(guān)詳細(xì)信息，請(qǐng)參閱：用于通用光學(xué)系統(tǒng)的光柵元件 Gz(l~!n~a eDvh3Y<D 微結(jié)構(gòu)晶片的角度響應(yīng) %al
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 (;-_j / <-,y0Y ' 該光柵組件使用傅里葉模態(tài)法(FMM)，也稱為嚴(yán)格耦合波分析(RCWA)，其運(yùn)作在k域中。當(dāng)入射大NA光束時(shí)，需要考慮在k域中有足夠數(shù)量的采樣點(diǎn)來(lái)解決角度敏感效應(yīng)。在光柵組件的求解器區(qū)域中，用戶可以輕松地調(diào)整此參數(shù)，以確保快速而準(zhǔn)確的模擬。 #qeC)T SIc~cZ!Yu
大NA物鏡 :39arq
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