在完成教程1、2和3后，你已熟悉利用OptiBPM創(chuàng)建項目的基本程序： • 生成材料 • 插入波導(dǎo)和輸入平面 • 編輯波導(dǎo)和輸入平面的參數(shù) • 運行仿真 • 選擇輸出數(shù)據(jù)文件 • 運行仿真 • 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真結(jié)果和各種數(shù)值工具 教程4和之后的教程在你已掌握的操作的基礎(chǔ)上，對仿真過程進(jìn)行了簡化描述。如果需要更多細(xì)節(jié)信息，可參閱之前課程中提供的操作。 本課程描述了如何創(chuàng)建一個MMI星型耦合器。該星型耦合器是對簡單MMI耦合器(教程2：創(chuàng)建一個簡單多模干涉星型（下文簡稱為MMI）耦合器)的進(jìn)一步改進(jìn)。它是由一個輸入波導(dǎo)、一個MMI耦合器以及四個輸出波導(dǎo)組成。步驟如下： • 定義MMI星型耦合器的材料 • 定義布局設(shè)置 • 創(chuàng)建MMI星形耦合器 • 運行模擬 • 查看最大值 • 繪制輸出波導(dǎo) • 為輸出波導(dǎo)分配路徑 • 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真結(jié)果 • 添加輸出波導(dǎo)并查看新的仿真結(jié)果 • 在OptiBPM_Analyzer中查看新的仿真結(jié)果 1. 定義MMI星型耦合器的材料 要定義單向彎曲器件的材料，請執(zhí)行以下步驟。 步驟 操作 1) 創(chuàng)建一個介電材料： 名稱：guide 相對折射率(Re)：3.3 2) 創(chuàng)建第二個介電材料 名稱： cladding 相對折射率(Re)：3.27 3) 點擊保存來存儲材料 4) 創(chuàng)建以下通道： 名稱：channel 二維剖面定義材料: guide 5 點擊保存來存儲材料。 2. 定義布局設(shè)置 要定義布局設(shè)置，請執(zhí)行以下步驟。 步驟 操作 1) 鍵入以下設(shè)置。 a. Waveguide屬性： 寬度：2.8 配置文件：channel b. Wafer尺寸： 長度：1420 寬度：60 c. 2D晶圓屬性： 材質(zhì)：cladding 2) 點擊OK，將此設(shè)置應(yīng)用到布局中。 3. 創(chuàng)建一個MMI星型耦合器 由于MMI星形耦合器中有四個輸出通道，因此需要找到在教程2(教程2：創(chuàng)建一個簡單的MMI耦合器)中的簡單MMI耦合器所產(chǎn)生的四個最大強度的位置。 如教程2中所述，這個位置在MMI耦合器中的第二個波導(dǎo)大約1180-1210μm的地方。 要創(chuàng)建MMI星型耦合器并找到所需耦合的相關(guān)耦合器長度，請執(zhí)行以下步驟。 步驟 操作 1) 繪制和編輯第一個波導(dǎo) a. 起始偏移量： 水平：0 垂直：0 b. 終止偏移： 水平：100 垂直：0 2) 繪制和編輯第二個波導(dǎo) a. 起始偏移量： 水平：100 垂直：0 b. 終止偏移： 水平：1420 垂直：0 c. 寬：48 3) 單擊OK，應(yīng)用這些設(shè)置。 | 
