GLV器件利用MEMS技術(shù)在硅晶圓上制成。基本結(jié)構(gòu)是條狀結(jié)構(gòu)組成的器件單元，器件單元一般由偶數(shù)個平行條狀結(jié)構(gòu)組成，條狀結(jié)構(gòu)的大小可以根據(jù)設(shè)計需要進行調(diào)整。

典型設(shè)計單元由6個條帶狀結(jié)構(gòu)組成，每條寬3mm、長100mm，厚約100nm，條狀結(jié)構(gòu)兩端有兩個支撐點，中間則懸浮在一個很薄的空氣層上(約650nm厚)。

條狀結(jié)構(gòu)采用氮化硅(Si3N4)材料制作，提供較高的張力和耐用性，結(jié)構(gòu)表面鍍鋁，可提高反射率和導(dǎo)電性，結(jié)構(gòu)下部表面作為共用電極。在器件單元的6個條狀結(jié)構(gòu)中，通過對3個可動條施加一定電壓，在靜電力的作用下上下移動。

在不加電壓的情況下，可動條不會下移，處于繃緊狀態(tài)，整個單元的中部形成一個平坦表面，此時GLV器件單元處于完全反射狀態(tài)。

當在可動條和襯底間施加電壓時，靜電吸引力使三個交替相間的可動條向下移動，單元表面成為一個相位光柵，如圖2所示，此時GLV器件單元處于衍射狀態(tài)。

在衍射狀態(tài)下，固定條和可動條反射出來的光波前之間產(chǎn)生相位差，光柵在θ角度產(chǎn)生衍射峰：

由于GLV器件是采用標準CMOS工藝制造的，因此容易集成相關(guān)的驅(qū)動和外圍電路。另外，單塊晶圓上可以制造出多個器件，從而在大批量生產(chǎn)時，具有成本優(yōu)勢。

靜電吸引力以及可動條材料本身提供的張力為垂直位移提供了平衡。由于空氣間隔很小，而靜電吸引力與間隔的平方成反比，因此靜電吸引力非常強。又因為可動條的質(zhì)量小，因此其動作速度非常快(約為20ns)。

我們將結(jié)合具體應(yīng)用進一步詳細地討論這些優(yōu)點。GLV器件目前已經(jīng)和正在開發(fā)的應(yīng)用主要集中在投影顯示、印刷(包括打印)設(shè)備和光電通信方面。

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根據(jù)前面的介紹，我們可以看到，GLV器件的每個單元可獨立對入射光進行調(diào)制，因此可在投影顯示應(yīng)用中控制一個像素。