1. 打底層最好用TiO2 H>Sf[8w)%  
2. 機器不要加溫，把能量放到IBS這邊； Qq>ElQ@  
3. IBS的能量要有一個梯度 ! fX9*0L  
4. 整個鍍膜后的溫度要用測溫紙測一下，以此來判斷你IBS的energy是否合理

TiO2和SiO2薄膜應力的產(chǎn)生機理及實驗探索.zip (144 K) 下载次数:85 7:ckq(89  
H.)fOctbO  
膜裂一般是由應力產(chǎn)生的，一般來講，張力會造成膜裂。 9c:5t'Qt5.  
而在常溫下，SiO2表現(xiàn)為張力，TiO2表現(xiàn)為壓力。 2;O  c^  
所以按原理來講，第一層鍍TiO2對膜裂的改善會比較好。 [gTQ-  
\v.HG] /u  
而且從附件論文的數(shù)據(jù)來看，開IAD比不開要好。 my=*zziN  
IZ|c<#r6  
但是如果膜裂是由吸水造成的，那又是另外一種情況。 s%FP6u7[i  
最好用鹵素燈加熱一下，鍍膜前再離子源打一下做一下表面的清潔。 Lq3(Z%  
只要不超過90度是沒什么問題的。

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