一、
半導(dǎo)體激光器的特征
uMm/$#E 半導(dǎo)體
激光器是用半導(dǎo)體材料作為工作物質(zhì)的一類激光器,由于物質(zhì)結(jié)構(gòu)上的差異,產(chǎn)生激光的具體過程比較特殊。常用材料有砷化鎵(GaAs)、硫化鎘(CdS)、磷化銦(InP)、硫化鋅(ZnS)等。激勵方式有電注入、電子束激勵和光泵浦三種形式。
sa\v9 半導(dǎo)體激光器件,可分為同質(zhì)結(jié)、單異質(zhì)結(jié)、雙異質(zhì)結(jié)等幾種。同質(zhì)結(jié)激光器和單異質(zhì)結(jié)激光器室溫時多為脈沖器件,而雙異質(zhì)結(jié)激光器室溫時可實現(xiàn)連續(xù)工作。
{r2-^QHF 半導(dǎo)體激光器具有體積小、效率高等優(yōu)點,廣泛應(yīng)用于激光通信、印刷制版、光信息處理等方面。
Zmf\A 二、半導(dǎo)體激光器的結(jié)構(gòu)與工作原理
O@U[S.IK 現(xiàn)以砷化鎵(GaAs)激光器為例,介紹注入式同質(zhì)結(jié)激光器的工作原理。
7&G[mOx0 1.注入式同質(zhì)結(jié)激光器的振蕩原理。由于半導(dǎo)體材料本身具有特殊晶體結(jié)構(gòu)和電子結(jié)構(gòu),故形成激光的機(jī)理有其特殊性。
4]$cf: (1)半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體材料多是晶體結(jié)構(gòu)。當(dāng)大量原子規(guī)則而緊密地結(jié)合成晶體時,晶體中那些價電子都處在晶體能帶上。價電子所處的能帶稱價帶(對應(yīng)較低能量)。與價帶最近的高能帶稱導(dǎo)帶,能帶之間的空域稱為禁帶。當(dāng)加外電場時,價帶中電子躍遷到導(dǎo)帶中去,在導(dǎo)帶中可以自由運(yùn)動而起導(dǎo)電作用。同時,價帶中失掉一個電子,則相當(dāng)于出現(xiàn)一個帶正電的空穴,這種空穴在外電場的作用下,也能起導(dǎo)電作用。因此,價帶中空穴和導(dǎo)帶中的電子都有導(dǎo)電作用,統(tǒng)稱為載流子。
]Xcqf9k (2)摻雜半導(dǎo)體與
p-n結(jié)。沒有雜質(zhì)的純凈半導(dǎo)體,稱為本征半導(dǎo)體。如果在本征半導(dǎo)體中摻入雜質(zhì)原子,則在導(dǎo)帶之下和價帶之上形成了雜質(zhì)能級,分別稱為施主能級和受主能級(見圖19-24)。
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L2>UA<@mZ q|J3]F !n 圖19-24
jREj]V> 有施主能級的半導(dǎo)體稱為n型半導(dǎo)體;有受主能級的半導(dǎo)體稱這p型半導(dǎo)體。在常溫下,熱能使n型半導(dǎo)體的大部分施主原子被離化,其中電子被激發(fā)到導(dǎo)帶上,成為自由電子。而p型半導(dǎo)體的大部分受主原子則俘獲了價帶中的電子,在價帶中形成空穴。因此,n型半導(dǎo)體主要由導(dǎo)帶中的電子導(dǎo)電;p型半導(dǎo)體主要由價帶中的空穴導(dǎo)電。
5q[0;`J 半導(dǎo)體激光器中所用半導(dǎo)體材料,摻雜濃度較大,n型雜質(zhì)原子數(shù)一般為(2-5)×1018cm-1;p型為(1-3)×1019cm-1。
zR)|%[sWwQ 在一塊半導(dǎo)體材料中,從p型區(qū)到n型區(qū)突然變化的區(qū)域稱為p-n結(jié)。其交界面處將形成一空間電荷區(qū)。n型半導(dǎo)體帶中電子要向p區(qū)擴(kuò)散,而p型半導(dǎo)體價帶中的空穴要向n區(qū)擴(kuò)散。這樣一來,結(jié)構(gòu)附近的n型區(qū)由于是施主而帶正電,結(jié)區(qū)附近的p型區(qū)由于是受主而帶負(fù)電。在交界面處形成一個由n區(qū)指向p區(qū)的電場,稱為自建電場。此電場會阻止電子和空穴的繼續(xù)擴(kuò)散(見圖19-25)。
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jyF0asb 圖19-25
L|G!of[8n (3)p-n結(jié)電注入激發(fā)機(jī)理。若在形成了p-n結(jié)的半導(dǎo)體材料上加上正向偏壓,p區(qū)接正極,n區(qū)接負(fù)極。顯然,正向電壓的電場與p-n結(jié)的自建電場方向相反,它削弱了自建電場對晶體中電子擴(kuò)散運(yùn)動的阻礙作用,使n區(qū)中的自由電子在正向電壓的作用下,又源源不斷地通過p-n結(jié)向p區(qū)擴(kuò)散,在結(jié)區(qū)內(nèi)同時存在著大量導(dǎo)帶中的電子和價帶中的空穴時,它們將在注入?yún)^(qū)產(chǎn)生復(fù)合,當(dāng)導(dǎo)帶中的電子躍遷到價帶時,多余的能量就以光的形式發(fā)射出來。這就是半導(dǎo)體場致發(fā)光的機(jī)理,這種自發(fā)復(fù)合的發(fā)光稱為自發(fā)輻射。
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+CD- 要使p-n結(jié)產(chǎn)生激光,必須在結(jié)構(gòu)內(nèi)形成粒子反轉(zhuǎn)分布狀態(tài),需使用重?fù)诫s的半導(dǎo)體材料,要求注入p-n結(jié)的電流足夠大(如30000A/cm2)。這樣在p-n結(jié)的局部區(qū)域內(nèi),就能形成導(dǎo)帶中的電子多于價帶中空穴數(shù)的反轉(zhuǎn)分布狀態(tài),從而產(chǎn)生受激復(fù)合輻射而發(fā)出激光。
>V:g'[b 2.半導(dǎo)體激光器結(jié)構(gòu)。如釁19-26為結(jié)構(gòu)圖,其外形及大小與小功率半導(dǎo)體三極管差不多,僅在外殼上多一個激光輸出窗口。夾著結(jié)區(qū)的p區(qū)與n區(qū)做成層狀,結(jié)區(qū)厚為幾十微米,面積約小于1mm2。
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<a *X&P >8;Co]::kx 圖19-26
gO-C[j/ 半導(dǎo)體激光器的
光學(xué)諧振腔是利用與p-n結(jié)平面相垂直的自然解理面(110面)構(gòu)成,它有35的反射率,已足以引起激光振蕩。若需增加反射率可在晶面上鍍一層二氧化硅,再鍍一層金屬銀膜,可獲得95%以上的反射率。
TRG(W^<F 一旦半導(dǎo)體激光器上加上正向偏壓時,在結(jié)區(qū)就發(fā)生粒子數(shù)反轉(zhuǎn)而進(jìn)行復(fù)合。
zECdj'/ 三、半導(dǎo)體激光器的工作特性
gkUG*Zw 1.閾值電流。當(dāng)注入p-n結(jié)的電流較低時,只有自發(fā)輻射產(chǎn)生,隨電流值的增大增益也增大,達(dá)閾值電流時,p-n結(jié)產(chǎn)生激光。影響閾值的幾個因素:
$3](6 (1)晶體的摻雜濃度越大,閾值越小。
ShanwaCDqv (2)諧振腔的損耗小,如增大反射率,閾值就低。
}Jt( H (3)與半導(dǎo)體材料結(jié)型有關(guān),異質(zhì)結(jié)閾值電流比同質(zhì)結(jié)低得多。目前,室溫下同質(zhì)結(jié)的閾值電流大于30000A/cm2;單異質(zhì)結(jié)約為8000A/cm2;雙異質(zhì)結(jié)約為1600A/cm2。現(xiàn)在已用雙異質(zhì)結(jié)制成在室溫下能連續(xù)輸出幾十毫瓦的半導(dǎo)體激光器。
HxJKS*H; (4)溫度愈高,閾值越高。100K以上,閾值隨T的三次方增加。因此,半導(dǎo)體激光器最好在低溫和室溫下工作。
=%AFn9q 2.方向性。由于半導(dǎo)體激光器的諧振腔短小,激光方向性較差,在結(jié)的垂直平面內(nèi),發(fā)散角最大,可達(dá)20°-30°;在結(jié)的水平面內(nèi)約為10°左右(見圖19-27)。
k))*Sg
=?UCtYN,P s)%RmsdL 圖19-27
"H>L!v 3.效率。量子效率
j(G}4dib η=每秒發(fā)射的光子數(shù)/每秒到達(dá)結(jié)區(qū)的電子空穴對數(shù)
+F ~;Q$T 77K時,GaAs激光器量子效率達(dá)70%-80%;300K時,降到30%左右。
xKKL4ws 功率效率η1=輻射的光功率/加在激光器上的電功率
S1^u/$*6 由于各種損耗,目前的雙異質(zhì)結(jié)器件,室溫時的η1最高10%,只有在低溫下才能達(dá)到30%-40%。
dwks"5l 4.光譜特性。由于半導(dǎo)體材料的特殊電子結(jié)構(gòu),受激復(fù)合輻射發(fā)生在能帶(導(dǎo)帶與價帶)之間,所以激光線寬較寬,GaAs激光器,室溫下譜線寬度約為幾納米,可見其單色性較差。輸出激光的峰值波長:77K時為840nm;300K時為902nm。
O4FW/)gq 四、連續(xù)室溫半導(dǎo)體激光器
ann!"s_ 現(xiàn)在已用雙異質(zhì)結(jié)制成在室溫下能連續(xù)輸出幾十毫瓦的半導(dǎo)體激光器。其輸出波長為900nm(近紅外光);器件工作壽命已達(dá)數(shù)萬小時,甚至數(shù)十萬小時;功率轉(zhuǎn)換效率超過20%;成為目前激光
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