Dear各位大大................. Z{nJ\`  
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我在做led模擬，目前遇到些瓶頸，請(qǐng)各位大大為我解答一下....... vB(tpki|  
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以下是我的模擬資料，其模擬目的為研究薄膜厚度與透射率改變影響光強(qiáng)度(lux)之關(guān)係........ p\5DW'  
_KVge)j  
1.LED Chip：由substrate(300µm*300µm*100µm)及p-n junction組成(n-type為300µm *300µm*4µ D(6d#c  
                        m；p-type為300µm*300µm*0.3µm )。 X&EcQ  
    Zn&S7a>7  
2.基板：Sapphire substrate (藍(lán)寶石基板)，Index=1.7。 J8w#J  
    c%Ht; sK`*  
3.材料：GaN (氮化鎵)，Index=2.4。 Fa78y
Y+6  
    16=tHo8|  
4.光源：p-n junction上下面各1 流明，共2流明。 f6n'g:&.W  
    @WVpDhG  
5.光束：p-n junction上下面各1000 rays，共2000 rays。 Ht#5;c2/  
    qD:3;85  
6.監(jiān)視面：10mm*10mm之正方面。 )HWf`;VQ  
    "1P8[  
7.距離：LED Chip與監(jiān)視面之間距離為15mm。 ,&$=2<Dx  
 <wV?B9j  
8.模擬光源假設(shè)條件： afY~Y?PJ<  
g2p/#\D\J  
(1)藍(lán)寶石基板其它四面(前、後、左、右)設(shè)定為全部吸收，無(wú)反射現(xiàn)象，上部無(wú)任何設(shè)定，下部設(shè)定為全反射(假設(shè)當(dāng)作一維光子晶體模擬)。 `[x`#irD  
j]i:~9xKW  
(2)LED Chip其它四面(前、後、左、右)設(shè)定為全部吸收，無(wú)反射現(xiàn)象，上部與下部無(wú)任何設(shè)定。 }Jkz0 扶绥县| 澄迈县| 上高县| 高安市| 望城县| 凉城县| 社会| 绵竹市| 黔东| 阜新市| 南涧| 津南区| 修武县| 五原县| 乃东县| 平顺县| 兰州市| 德阳市| 南京市| 航空| 米易县| 定日县| 汤原县| 托克托县| 莱州市| 二手房| 闽清县| 化德县| 昌黎县| 延边| 房产| 辉南县| 南安市| 马鞍山市| 新建县| 张家港市| 武定县| 闸北区| 黄梅县| 大宁县| 合水县|