LED外延片--襯底材料
kJHr&=VO~ V*~1,6N [ 襯底材料是半導體
照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的基石。不同的襯底材料，需要不同的外延生長技術(shù)、芯片加工技術(shù)和器件
封裝技術(shù)，襯底材料決定了半導體
照明技術(shù)的發(fā)展路線。襯底材料的選擇主要取決于以下九個方面：
hfJrQhmE • [1]結(jié)構(gòu)特性好，外延材料與襯底的
晶體結(jié)構(gòu)相同或相近、晶格常數(shù)失配度小、結(jié)晶性能好、缺陷密度小；
~sZqa+jB0 • [2]界面特性好，有利于外延材料成核且黏附性強；
lF0K=L • [3]化學穩(wěn)定性好，在外延生長的溫度和氣氛中不容易分解和腐蝕；
GwTT+ • [4]熱學性能好，包括導熱性好和熱失配度小；
s]$HkSH • [5]導電性好，能制成上下結(jié)構(gòu)；
N7d17c.
5 • [6]
光學性能好，制作的器件所發(fā)出的光被襯底吸收小；
s@[C& v • [7]機械性能好，器件容易加工，包括減薄、拋光和切割等；
m\<<oIlH • [8]價格低廉；
*rS9eej • [9]大尺寸，一般要求直徑不小于2英吋。
b7?U8/#' < 8}KEe4 襯底的選擇要同時滿足以上九個方面是非常困難的。所以，目前只能通過外延生長技術(shù)的變更和器件加工工藝的調(diào)整來適應(yīng)不同襯底上的半導體發(fā)光器件的研發(fā)和生產(chǎn)。用于氮化鎵研究的襯底材料比較多，但是能用于生產(chǎn)的襯底目前只有二種，即藍寶石Al2O3和碳化硅SiC襯底。表2-4對五種用于氮化鎵生長的襯底材料性能的優(yōu)劣進行了定性比較。
~%olCxfO ST[2]
評價襯底材料必須綜合考慮下列因素：
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