一、量子阱(QW)激光器 >,8DwNuq  
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(1)QW激光器 S> f8j?n  
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隨著金屬有機(jī)物化學(xué)汽相淀積（MOCVD）技術(shù)的逐漸成熟和完善，QW激光器很快從實(shí)驗(yàn)室研制進(jìn)入商用化。QW器件是指采用QW材料作為有源區(qū)的光電子器件，材料生長(zhǎng)一般是采用MOCVD外延技術(shù)。這種器件的特點(diǎn)就在于它的QW有源區(qū)具有準(zhǔn)二維特性和量子尺寸效應(yīng)。QW激光器與體材料激光器相比，具有閾值電流小、量子效率高、振蕩頻率高的特點(diǎn)，并可直接在較高的溫度下工作。 >Fzu]G4]  
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(2)應(yīng)變QW激光器 _Z:WgO].  
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為了進(jìn)一步改善QW激光器的性能，人們又在QW中引入應(yīng)變和補(bǔ)償應(yīng)變，出現(xiàn)了應(yīng)變QW激光器和補(bǔ)償應(yīng)變QW激光器。應(yīng)變的引入減小了空穴的有限質(zhì)量，進(jìn)一步減小了價(jià)帶間的躍遷，從而使QW激光器的閾值電流顯著降低，量子效率和振蕩頻率再次提高，并且由于價(jià)帶間躍遷的減小和俄歇復(fù)合的降低而進(jìn)一步改善了溫度特性，實(shí)現(xiàn)了激光器無(wú)致冷工作。在阱和壘中分別引入不同應(yīng)變（張應(yīng)變/壓應(yīng)變）實(shí)現(xiàn)應(yīng)變補(bǔ)償，不僅能改善材料質(zhì)量，從而提高激光器的壽命，而且可利用壓應(yīng)變對(duì)應(yīng)于TE模式、張應(yīng)變主要對(duì)應(yīng)于TM模式的特性，制作與偏振無(wú)關(guān)的半導(dǎo)體激光放大器。 pvJsSX  
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引人矚目的是，GaSb基銻化物材料的研究多年來(lái)倍受重視，因其波長(zhǎng)覆蓋范圍寬，可從1.7m延展到4.5m，但材料生長(zhǎng)和器件制作比較困難，1990年以前器件性能指標(biāo)較低。經(jīng)過(guò)近十年的努力，目前MBE生長(zhǎng)GaSb基銻化物應(yīng)變量子阱激光器已在1.9 2.6m波段先后獲得室溫連續(xù)大功率工作的突破。 OG_2k3v  
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(3)我國(guó)QW激光器的進(jìn)展 'w+T vOB  
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我國(guó)從1993年年底開(kāi)始利用AIX200型低壓MOCVD系統(tǒng)進(jìn)行QW器件的開(kāi)發(fā)，現(xiàn)已開(kāi)發(fā)出幾十種InGaAsP系列、AlGaInAs系列材料和兩種系列的應(yīng)變QW材料，QW器件的開(kāi)發(fā)也取得豐碩的成果，完成了多項(xiàng)"863"項(xiàng)目，已形成產(chǎn)品的主要有如下器件： NhxTSyT"t  
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（1）普通1.3 m QW激光器，國(guó)內(nèi)首批實(shí)用化的QW激光器產(chǎn)品，1995年開(kāi)始大量使用于移動(dòng)通信光纖傳輸直放站。 3B(6^iS  
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（2）應(yīng)變QW DFB激光器系列產(chǎn)品，波長(zhǎng)覆蓋1.5～1.57 m，1996年底批量生產(chǎn)并正式投放市場(chǎng)，主要作為2.5Gb/s SDH系統(tǒng)和WDM系統(tǒng)發(fā)射和信道監(jiān)控光源。 i0($@6Lh  
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（3）大功率高線性1.3 m應(yīng)變QW DFB激光器，1997年小批量使用于CATV光發(fā)射機(jī)。 pI>i1f=W  
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正在開(kāi)發(fā)的器件有： 0R,?$qM\  
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（1）1.3 m、1.55 m AlGaInAs高溫?zé)o致冷應(yīng)變QW激光器，"863"項(xiàng)目。 ^/wvHu[#  
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（2）1.3 m、1.55 m補(bǔ)償應(yīng)變InGaAsP QW半導(dǎo)體激光放大器，"863"項(xiàng)目。 F6gboo)SD  
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（3）2.5 Gb/s用的QW DFB激光器與電吸收型調(diào)制器的單片光集成器件。 21$YZlhJ  
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QW激光器是發(fā)展高速光纖通信系統(tǒng)國(guó)家急需的關(guān)鍵器件。由于此項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)的突破，大大推動(dòng)了我國(guó)光纖通信技術(shù)的發(fā)展。 \c&%F=1+*  
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二、分布反饋（DFB）激光器 blcd]7nK  
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DFB 激光譜線寬度要小于0.04nm，而且 DFB 激光波長(zhǎng)隨溫度的漂移相對(duì)較小，并具有高的邊模抑制比。這些特性使得 DFB 激光器非常適合密集波分復(fù)用 (DWDM) 的通信應(yīng)用。 M@rknq@  
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(1)增益耦合DFB激光器 nf5Ld"|%9  
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增益耦合DFB激光器由于它的發(fā)射模落在中心的基模上，從物理上保證了它必然是單縱模的動(dòng)作，單縱模成品率很高，比常用的折射率耦合DFB制作工藝難度小，成本也比較低，同時(shí)它還具有其他的優(yōu)點(diǎn)，如對(duì)背反射光的抑制等。最成熟的器件材料系，首推InGaAsP/InP MQW材料。 \v7M`! &  
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(2)電吸收調(diào)制DFB激光器（EML）： zV\\T(R)  
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直接調(diào)制DFB激光器受到馳振蕩效應(yīng)的限制，響應(yīng)速率難以越過(guò)5 Gb/s，同時(shí)在高速率下，由于伴隨著很大的正啁啾和負(fù)啁啾，使傳輸性能降低。直接調(diào)制的DFB激光器通常引入MZ調(diào)制器和電吸收調(diào)制器這兩種調(diào)制器，從光網(wǎng)絡(luò)體系考慮，調(diào)制器宜結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單并能與DFB激光器實(shí)現(xiàn)單片集成。電吸收調(diào)制器比MZ調(diào)制器更有吸引力是因?yàn)樗�可以與DFB激光器單片集成使結(jié)構(gòu)緊湊，并且省去了偏振控制。韓國(guó)大學(xué)無(wú)線電工程學(xué)院研制出了用于高比特速率和長(zhǎng)拖曳光通信系統(tǒng)的集成10Gb/s電吸收調(diào)制的DFB激光器，實(shí)現(xiàn)了超過(guò)130km標(biāo)準(zhǔn)光纖的無(wú)損耗傳輸。 2*6b{}yJH  
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(3)可調(diào)諧DFB激光器 \4q% n  
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德國(guó)科學(xué)家日前演示了一種價(jià)格便宜的在整個(gè)可見(jiàn)光譜區(qū)內(nèi)可調(diào)的DFB薄膜有機(jī)物半導(dǎo)體激光器。這種DFB的發(fā)射波長(zhǎng)范圍由薄膜的厚度控制。薄膜材料為Alq:DCM。并采用聚乙烯對(duì)苯二亞甲基（PET）的可彎曲薄片作為襯底。科學(xué)家根據(jù)Alq：DCM薄膜的厚度不同（從120nm到435 nm）制作了幾種DFB激光器。當(dāng)薄膜厚度為120 nm時(shí)，激光器波長(zhǎng)為604 nm；厚度為435 nm時(shí)，激光器波長(zhǎng)為648 nm。實(shí)現(xiàn)了30nm的連續(xù)可調(diào)諧范圍。 hL#5:~(  
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(4)光纖光柵DFB激光器 48CLnyYiF  
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若把光纖布拉格光柵作為半導(dǎo)體激光器的外腔反射鏡，就可以制出性能優(yōu)異的光纖光柵DFB激光器。這種激光器不僅輸出激光的線寬窄，易與光纖耦合，而且通過(guò)對(duì)光柵加以縱向拉伸力或改變LD的調(diào)制頻率就能控制輸出激光的頻率和模式。光纖光柵DFB激光器，其線寬小于15kHz，甚至可達(dá)1kHz，邊模抑制比大于30dB，當(dāng)用1.2Gb/s的信號(hào)調(diào)制時(shí)，啁啾小于0.5MHz，信噪比高達(dá)60dB。 Kc+;"4/#q  
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三、大功率激光器 >&m
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近年來(lái)，大功率半導(dǎo)體激光器陣列得到了飛速發(fā)展，已推出產(chǎn)品有連續(xù)輸出功率5Ｗ、10Ｗ、15Ｗ、20Ｗ和30Ｗ的激光器陣列。脈沖工作的激光器，峰值輸出功率50Ｗ、120Ｗ、1500Ｗ、和4800Ｗ的陣列也已經(jīng)商品化。 XSkN
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(1)808 nm InGaAsP無(wú)鋁大功率激光器 %EYh5W  
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