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    [分享]半導(dǎo)體激光器技術(shù)概論 [復(fù)制鏈接]

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    只看樓主 倒序閱讀 樓主  發(fā)表于: 2008-06-26
    關(guān)鍵詞: 激光器
    一、量子阱(QW)激光 *C*ZmC5  
    ^ #:;6^Su  
    (1)QW激光器 \(Sly&gL  
    C^ )Imr  
    隨著金屬有機(jī)物化學(xué)汽相淀積(MOCVD)技術(shù)的逐漸成熟和完善,QW激光器很快從實(shí)驗(yàn)室研制進(jìn)入商用化。QW器件是指采用QW材料作為有源區(qū)的光電子器件,材料生長(zhǎng)一般是采用MOCVD外延技術(shù)。這種器件的特點(diǎn)就在于它的QW有源區(qū)具有準(zhǔn)二維特性和量子尺寸效應(yīng)。QW激光器與體材料激光器相比,具有閾值電流小、量子效率高、振蕩頻率高的特點(diǎn),并可直接在較高的溫度下工作。 8S1@,O,  
    x4^nT=?6_  
    (2)應(yīng)變QW激光器 << >+z5D+  
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