如果要使激光器的調(diào)制帶寬得到提高，關(guān)鍵是降低激光器的電學(xué)寄生因素的影響，尤其需要降低寄生電容及載流子在量子阱結(jié)構(gòu)中的輸運(yùn)過程。 4j8$&~/  
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    制造高速激光器時(shí)，要想提高器件的3db帶寬，可以采取以下措施： ]s!id[j
 
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    ①有源區(qū)采用應(yīng)變（補(bǔ)償）多量子阱結(jié)構(gòu)——量子阱激光器阱材料由于在平行于阱面方向受到雙軸壓應(yīng)變和垂直于阱面方向的拉伸應(yīng)變，其價(jià)帶頂?shù)闹乜昭�能級上升，而且這種價(jià)帶發(fā)生退簡并，使電子從自旋軌道分裂帶向重孔穴帶的躍遷幾率近似等于零，使室溫下的俄歇復(fù)合幾率減小，從而導(dǎo)致這種量子阱激光器的閾值電流下降，線寬增強(qiáng)因子減小以及弛豫振蕩頻率、調(diào)制帶寬、微分增益系數(shù)顯著提高。 97qf3^gGd  

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    ②有源區(qū)p型摻雜 ——p型摻雜可減小穿過sch區(qū)域時(shí)的空穴輸運(yùn)，這對高速量子阱器件是主要的限制；p型摻雜可以得到非常高的微分增益，并且使量子阱中載流子的分布更加均勻。 o)>iHzR</  
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    若有源區(qū)zn摻雜濃度接近1018 cm-3時(shí)，其3db帶寬可達(dá)25ghz，而且摻雜還可使器件的振蕩頻率增加到30ghz（腔長為300μm）。此外，重?fù)诫s還有利于降低線寬增強(qiáng)因子和進(jìn)一步提高微分增益，這些都有利于提高器件的調(diào)制特性。 ve:Oe{Ie{  
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    ③降低電學(xué)寄生參數(shù)——為了降低高速激光器的電學(xué)寄生參數(shù)，尤其是寄生電容，可采用半絕緣fe-inp再生長掩埋技術(shù)，同時(shí)還需減小電極面積；采用自對準(zhǔn)窄臺面結(jié)構(gòu)（sa-cm）以減小器件的寄生電容。人們還常利用填充聚酰亞胺的方法來減小寄生電容。 {9X mFa  
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    ④提高激光器內(nèi)部光子濃度和微分增益——增加激光器腔內(nèi)的光子濃度，可增加本征諧振頻率。利用dfb結(jié)構(gòu)使激射波長與增益峰波長為負(fù)失諧（-10nm），可以提高微分增益，這些都可以增加-3db調(diào)制帶寬。 Xk/iyp/  
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    以上分析了限制半導(dǎo)體激光器高速調(diào)制特性的因素以及提高激光器調(diào)制帶寬的途徑，這些因素之間與其靜態(tài)特性之間是相互影響的，所以在設(shè)計(jì)高速激光器時(shí)，還需考慮其他特性，如閾值、溫度特性等。