高亮度LED雖然具備了更省電、使用壽命更長及反應時間更快等優(yōu)點，但仍得面對靜電釋放（ESD）損害和熱膨脹系數(shù)（TCE）等效能瓶頸；本文將提出一套采次黏著基臺（Submount）的進階封裝方式，以有效發(fā)揮LED的照明效益。

　　高亮度LED（High-brightness Light Emitting Diodes；HB LED）的出現(xiàn)，在照明產(chǎn)業(yè)中掀起了一股狂潮。相較于傳統(tǒng)的白熱燈泡，HB LED因具備了更省電、使用壽命更長及反應時間更快等主要優(yōu)點，因此很快的搶占了LCD背光板、交通號志、汽車照明和招牌等多個市場。

　　HB LED的主導性生產(chǎn)技術(shù)是InGaN，但此技術(shù)仍有一些瓶頸需要克服，目前掌握前瞻技術(shù)的業(yè)者紛紛針對這些瓶頸提出新的解決方案，希望能進一步拓展HB LED的市場。這些瓶頸中以靜電釋放（electrostatic discharge；ESD）敏感性和熱膨脹系數(shù)（thermal coefficient of expansion ；TCE）為兩大議題，其困難如下所述：

　　熱處理（Thermal Management）

　　相較于LED 晶粒（die）的高效能特性，目前多數(shù)的封裝方式很明顯地無法滿足今時與未來的應用需求。對于HB LED的封裝廠商來說，一個主要的挑戰(zhàn)來自于熱處理議題。這是因為在高熱下，晶格會產(chǎn)生振動，進而造成結(jié)構(gòu)上的改變（如回饋回路變成正向的），這將降低發(fā)光度，甚至令LED無法使用，也會對交錯連結(jié)的封入聚合體（encapsulating polymers）造成影響。

　　僅管一些測試顯示，在晶粒（die）的型式下，即使電流高到130mA仍能正常工作；但采用一般的封裝后，LED只能在20mA的條件下發(fā)光。這是因為當芯片是以高電流來驅(qū)動時，所產(chǎn)生的高熱會造成銅導線框（lead-frame）從原先封裝好的位置遷移。因此在芯片與導線框間存在著TCE的不協(xié)調(diào)性，這種不協(xié)調(diào)性是對LED可靠性的一大威脅。

　　對電子設(shè)備的靜電損害（Electrostatic damage；ESD）可能發(fā)生在從制造到使用過程中的任何時候。如果不能妥善地控制處理ESD的問題，很可能會造成系統(tǒng)環(huán)境的失控，進而對電子設(shè)備造成損害。InGaN 晶粒一般被視為是"Class 1"的設(shè)備，達到30kV的靜電干擾電荷其實很容易發(fā)生。在對照試驗中，10V的放電就能破壞Class 1 對ESD極敏感的設(shè)備。研究顯示ESD對電子產(chǎn)品及相關(guān)設(shè)備的損害每年估計高達50億美元，至于因ESD受損的LED則可能有變暗、報銷、短路，及低Vf （forward voltage）或 Vr（reverse voltage）等現(xiàn)象。

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以Submount技術(shù)突破瓶頸

　　為了突破這些InGaN LED瓶頸，CAMD公司提出一項特殊的解決方式。采用與醫(yī)學用生命支持設(shè)備相同的技術(shù)，CAMD發(fā)展出一種硅載體（Silicon Carrier）或次黏著基臺（Submount），以做為InGaN芯片與導線框之間的內(nèi)部固著介質(zhì)；當透過齊納二極管（Zener Diodes）來提供ESD保護的同時，這種Submount設(shè)計也能降低TCE不協(xié)調(diào)性的沖擊。

　　(圖一)顯示一個基本硅材質(zhì)Submount如何將兩個焊球與覆晶LED接合在一起的情況，在球體區(qū)域所見到的不同顏色圓圈是用來保護LED免受ESD損害的二極管架構(gòu)。此架構(gòu)除了能安全的抵銷高達 30kV的接觸放電，更超過IEC61000-4-2國際標準對最大值的要求。硅材質(zhì)與焊球扮演著振動吸收器，以疏緩熱膨脹效應。

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