今天來探討LED外延片的成長(zhǎng)工藝，早期在小積體電路時(shí)代，每一個(gè)6吋的外延片上制作數(shù)以千計(jì)的芯片，現(xiàn)在次微米線寬的大型VLSI，每一個(gè)8吋的外延片上也只能完成一兩百個(gè)大型芯片。外延片的制造雖動(dòng)輒投資數(shù)百億，但卻是所有電子工業(yè)的基礎(chǔ)。 TNJ<!6  
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硅晶柱的長(zhǎng)成，首先需要將純度相當(dāng)高的硅礦放入熔爐中，并加入預(yù)先設(shè)定好的金屬物質(zhì)，使產(chǎn)生出來的硅晶柱擁有要求的電性特質(zhì)，接著需要將所有物質(zhì)融化后再長(zhǎng)成單晶的硅晶柱，以下將對(duì)所有晶柱長(zhǎng)成制程做介紹： c%ZeX%p  
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長(zhǎng)晶主要程式： IF5sqv  
1、融化(MELtDown) Ap%d<\,Z  
此過程是將置放于石英坩鍋內(nèi)的塊狀復(fù)晶硅加熱制高于攝氏1420度的融化溫度之上，此階段中最重要的參數(shù)為坩鍋的位置與熱量的供應(yīng)，若使用較大的功率來融化復(fù)晶硅，石英坩鍋的壽命會(huì)降低，反之功率太低則融化的過程費(fèi)時(shí)太久，影響整體的產(chǎn)能。 Hw
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2、頸部成長(zhǎng)(Neck Growth) sZ]'DH&_(  
當(dāng)硅融漿的溫度穩(wěn)定之后，將方向的晶種漸漸注入液中，接著將晶種往上拉升，并使直徑縮小到一定(約6mm)，維持此直徑并拉長(zhǎng)10-20cm，以消除晶種內(nèi)的排差(dislocation)，此種零排差(dislocation-free)的控制主要為將排差局限在頸部的成長(zhǎng)。 ^p$1D  
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3、晶冠成長(zhǎng)(Crown Growth) /731.l  
長(zhǎng)完頸部后，慢慢地降低拉速與溫度，使頸部的直徑逐漸增加到所需的大小。 Ir!2^:]!  
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4、晶體成長(zhǎng)(Body Growth) %)8d{1at  
利用拉速與溫度變化的調(diào)整來遲維持固定的晶棒直徑，所以坩鍋必須不斷的上升來維持固定的液面高度，于是由坩鍋傳到晶棒及液面的輻射熱會(huì)逐漸增加，此輻射熱源將致使固業(yè)介面的溫度梯度逐漸變小，所以在晶棒成長(zhǎng)階段的拉速必須逐漸地降低，以避免晶棒扭曲的現(xiàn)象產(chǎn)生。 d