摘要：本文詳細描述一種等離子體高效濺射系統(tǒng)及應用工藝。此種嶄新的濺射技術組成的系統(tǒng)能做到實現(xiàn)成膜晶粒大小的控制。此外，應用此技術的濺射膜材利用率要比現(xiàn)有所有濺射技術高很多，達到80%至90%。本文描述了應用此技術鍍制不同的磁性記憶Cr膜，并給出了用X-ray及TEM手段對成膜晶粒度的分析結(jié)果，包括直方圖、平均晶粒度以及它們與濺射工藝的關系等。
,O5X80'.g Yao}Xo 9} 索引術語：晶粒度控制，嶄新等離子體濺射，Cr薄膜
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9xNKm 1、簡介
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CH T(7`$<TQ 在濺射過程中，有能力控制成膜晶粒大小及分布是很多工業(yè)應用的基本要求，特別對于磁性存儲記憶膜等的應用尤為如此。本文將詳細介紹一種嶄新的濺射
鍍膜技術以及應用此技術構(gòu)建的系統(tǒng)。該系統(tǒng)的主要特點為有能力對濺射成膜的平均晶粒度進行控制，而不用在襯底上事先制造子晶層。在不同的工藝條件下，做了一系列的Cr膜試驗，以確定最優(yōu)的工藝條件，從而保證得到包括平均晶粒直徑、標準偏差以及Cr膜晶相成因的最有組合。Cr及Cr合金膜對儲存記憶膜工業(yè)有著非常重要的意義。因為它們被用作縱向存儲介質(zhì)CoCrPt[1]或CoCrTa[2]膜的底層膜。底層Cr膜的晶粒成因以及大小以后存儲介質(zhì)層的生長[3]。具有更細晶粒及更均勻分布的
薄膜意味著將具有更高的存儲密度。但是，高存儲密度介質(zhì)膜的信號熱衰減特性要求晶粒具有高的磁性各向異性及窄的晶粒分布，即是晶粒要具有高的熱穩(wěn)定性，從而保證介質(zhì)膜有好的信-噪比。控制成膜平均晶粒度大小及分布對得到高存儲密度和高熱穩(wěn)定性介質(zhì)膜至關重要。本文下節(jié)重點介紹這種嶄新的濺射技術，以及在用這種技術組成的系統(tǒng)上作的晶粒生長與濺射工藝
參數(shù)關系的研究試驗。
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