高功率
半導(dǎo)體激光器系統(tǒng)作為發(fā)展成熟的激光
光源,在材料加工和固體
激光器泵浦領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用。盡管高功率半導(dǎo)體具備轉(zhuǎn)換效率高、功率高、可靠性強、壽命長、體積小以及成本低等諸多優(yōu)點,但是
光譜亮度相對較差則是一個不容忽視的缺點。半導(dǎo)體激光器bar條典型的光譜帶寬大約是3~6nm,而且峰值
波長會受工作電流和工作溫度的影響而發(fā)生漂移。
5i 6*$#OM_ BUuU#e5 通常,摻釹固體晶體是對其相對較寬的808nm吸收帶進行泵浦,標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體激光器系統(tǒng)能很容易地滿足808nm泵浦的光譜要。但是在過去幾年里,隨著半導(dǎo)體激光器bar條的工作電流和功率的不斷提高,導(dǎo)致在從閾值電流上升到工作電流的過程中產(chǎn)生了更大的波長漂移。為了確保在整個工作范圍內(nèi)實現(xiàn)穩(wěn)定、有效的泵浦,需要控制泵浦半導(dǎo)體激光器的光譜,使其光譜帶寬始終與激活激光介質(zhì)的吸收帶寬相匹配。
c|kQ3( ,u^RZ[} 另一方面,
光纖激光器的迅速發(fā)展,也增加了對其他波長的泵浦源的需求。例如,泵浦波長為1080nm左右的標(biāo)準(zhǔn)摻鐿光纖激光器,就需要915nm、940nm和980nm的光纖耦合半導(dǎo)體激光器系統(tǒng),特別是980nm泵浦區(qū)尤為重要,因為摻鐿材料在該泵浦區(qū)具有較高的吸收系數(shù)和較窄的吸收帶寬。
xnyp'O8yk 97$1na3gq 通常,高功率半導(dǎo)體激光器模塊的典型光譜寬度大約是3~6nm,而且其中心波長會隨著溫度和驅(qū)動電流的變化而發(fā)生漂移,這對于具有較小吸收帶寬的泵浦應(yīng)用來說是一個很大的障礙。高功率半導(dǎo)體激光器模塊的波長穩(wěn)定性,對于有效地泵浦具有較窄吸收帶寬的固體激光器而言,至關(guān)重要。
q}nL'KQ,n K3c(c%$<R 體全息
光柵波長穩(wěn)定性技術(shù),能幫助高功率半導(dǎo)體激光器模塊實現(xiàn)穩(wěn)定的波長。當(dāng)然,要想實現(xiàn)可靠的波長穩(wěn)定性能,必須要對體全息光柵和半導(dǎo)體激光器模塊的相關(guān)參數(shù)進行慎重選擇。
4z~%gt74O] oic}Go 另一個新的泵浦波長是在888nm泵浦Nd:YVO4,與808nm泵浦相比,888nm泵浦的優(yōu)勢在于該波長處于各向同性吸收區(qū),即在所有偏振方向上具有相同的吸收系數(shù),并且量子虧損小。[1]
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