在
LED晶圓(LED外延片)制程方面，不同的襯底材料，需要不同的磊晶（晶圓生長(zhǎng)）技術(shù)、芯片加工技術(shù)和封裝技術(shù)，襯底材料決定了
半導(dǎo)體照明技術(shù)的發(fā)展路線。襯底材料的選擇主要取決于以下9個(gè)方面，襯底的選擇要同時(shí)滿足全部應(yīng)該有的好特性。所以，目前只能通過(guò)外延生長(zhǎng)技術(shù)的變更和器件加工制程的調(diào)整來(lái)適應(yīng)不同襯底上的半導(dǎo)體發(fā)光器件的研發(fā)和生產(chǎn)。用于氮化鎵研究的襯底材料比較多，但是能用于生產(chǎn)的襯底目前只有二種，即藍(lán)寶石Al2O3和碳化硅SiC襯底。
A+VzpJ~ -v=tM6 如果我們來(lái)看LED襯底材料，好的材料應(yīng)該有的特性如下：
N@8tf@BT W3&~[DS@~ 1.結(jié)構(gòu)特性好，晶圓材料與襯底的
晶體結(jié)構(gòu)相同或相近、晶格常數(shù)失配度小、結(jié)晶性能好、缺陷密度小。
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]* 2.接口特性好，有利于晶圓料成核且黏附性強(qiáng)。
D!D}mPi[ 4|NcWpaV7 3.化學(xué)穩(wěn)定性好，在晶圓生長(zhǎng)的溫度和氣氛中不容易分解和腐蝕。
Ca0t}`<S M] W5 %3do 4.熱學(xué)性能好，包括導(dǎo)熱性好和熱失配度小。
cBU@853 V,eH E5C 5.導(dǎo)電性好，能制成上下結(jié)構(gòu)。
8},fu3Z `!.c_%m2 6.光學(xué)性能好，制作的器件所發(fā)出的光被襯底吸收小。
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