跨入二十一世紀以來，紅外熱攝像技術的發(fā)展已經(jīng)歷了三十多個年頭。其發(fā)展已從當初的機械掃描機構發(fā)展到了目前的全固體小型化全電子自掃描凝視攝像，特別是非致冷技術的發(fā)展使紅外熱攝像技術從長期的主要軍事目的擴展到諸如工業(yè)監(jiān)控測溫、執(zhí)法緝毒、安全防犯、醫(yī)療衛(wèi)生、遙感、設備先期性故障診斷與維護、海上救援、天文探測、車輛、飛行器和艦船的駕駛員夜視增強觀察儀等廣闊的民用領域。
P71Lqy)5}A v mk2{f ,g 紅外熱攝像技術的發(fā)展速度主要取決于紅外探測器技術取得的進展。三十年來，紅外探測器技術已從第一代的單元和線
陣列發(fā)展到了第二代的二維時間延遲與積分（TDI）8～12μm的掃描和3～5μm的640×480元InSb凝視陣列，目前正在向焦平面超高密度集成探測器元、高性能、高可靠性、進一步小型化、非致冷和軍民兩用技術的方向發(fā)展，正在由第二代陣列技術向第三代微型化高密度和高性能
紅外焦平面陣列技術方向發(fā)展。
nZYBE03 0 </*6wpN 1 發(fā)展現(xiàn)狀
kM N~Y P( 8OQL: 1.1 超高集成度的焦平面探測器像元
gc$l^`+M Lt>IX") 像可見光
CCD之類的攝像陣列一樣，要提高系統(tǒng)成像的分辨率和目標識別能力，大幅度地提高系統(tǒng)焦平面紅外探測像元的集成度是一種重要的途徑。各公司廠家都在盡力增加焦平面陣列的像元數(shù)，發(fā)展各種格式的大型或特大型紅外焦平面陣列。
YT(AUS5n -6B4sZpzD 在1～3μm的短波紅外（SWIR）焦平面陣列方面，由于多年來的軍用都集中在中波紅外（MWIR）和長波紅外（LWIR）波段，因而SWIR焦平面陣列技術的發(fā)展受到忽略，但由于這個波段的許多應用是MWIR和LWIR應用達不到的，因而近幾年來加快了對SWIR焦平面陣列技術的發(fā)展步伐，目前的陣列規(guī)模已達到2048×2048元（400萬元）。
8F Y?!C RPRBmb940 ·InGaAs紅外焦平面陣列：雖然實現(xiàn)短波紅外熱攝像的候選材料要求低溫冷卻工作，而且HgCdTe襯底失配率高，暗電流也高，唯有In0.53Ga0.47As的晶格常數(shù)與InP相同，暗電流密度低達3×10-8A/cm2，R0A＞2×106Ω.cm2，D*＞1013cmHz1/2W-1（室溫下），其光響應峰值在0.9μm～1.7μm，可實現(xiàn)非致冷工作的高性能紅外焦平面陣列，其多年的
光纖通信工業(yè)應用使其具有大批量生產(chǎn)的能力，因而幾年來日益受到重視，美國
傳感器無限公司在DARPA 和NVESD支持下正在加速發(fā)展這種非致冷的紅外焦平面陣列和攝像機技術，其陣列尺寸已達到320×240元。
XlR@pr6tw c\AfaK^KF ·HgCdTe陣列：由于軍用目的的需求，過去這種材料焦平面陣列技術的發(fā)展主要集中于中波和長波紅外波段應用，但洛克威爾國際科學中心卻一直在發(fā)展1～3μm波段工作的HgCdTe焦平面陣列技術，其主要目的是天文和低背景應用，該中心在90年代中期已制出HQWAⅡ-1 1024×1024元陣列，目前已研制成功世界上最大的HQWAⅡ-2型2048×2048元的陣列，該中心正在計劃研制4096×4096元的特大型陣列。
c SV aI Jdj4\j u 在3～5μm的中波紅外焦平面陣列方面：中波紅外焦平面陣列技術的發(fā)展一直是紅外焦平面中發(fā)展最快的，主要有PtSi、InSb和HgCdTe三種陣列，其陣列規(guī)模已達到2048×2048元（400萬元）。
;uP :"k 3)ywX&4"L ·PtSi陣列已形成大批量生產(chǎn)能力，典型陣列有640×480，801×512，1024×1024，1040×1040，柯達公司新近推出的產(chǎn)品高達1968×1968元，其陣列規(guī)模已接近于400萬元，HgCdTe中波焦平面陣列是目前所有焦平面中波工作陣列中集成度高，最引人注目的，洛克威爾國際科學中心在這方面的發(fā)展處于世界領先地位，除了640×480和1024×1024元的天文應用陣列外，近期已準備提供用戶使用的陣列為2048×2048元，并正在采用拼接技術研制4096×4096元的陣列，但工作溫度低于77K。
?.BC#S)q1 U z]|N6` ·InSb陣列是這個波段應用中深受重視的器件，主要是低背景天文應用陣列規(guī)格達1024×1024元，典型陣列還有640×480和640×512元。
H9e<v4 c ;NITc 在長波紅外焦平面陣列方面，主要集中于HgCdTe，GaAlAs/GaAs多量子阱陣列，SiGe異質結構陣列和非致冷紅外焦平面陣列四種。HgCdTe陣列的發(fā)展一直較為緩慢，近幾年主要集中于GaAlAs/GaAs量子阱列和非致冷工作的紅外焦平面陣列技術，發(fā)展極快，陣列規(guī)模已達到了640×480元。
97!;.f- /IMFO:c ·HgCdTe焦平面陣列技術，由于這種材料的電學特性，進展一直較為緩慢，長波HgCdTe焦平面陣列規(guī)模僅為256×256元。
_I5Y"o pFjK}J OF ·GaAlAs/GaAs陣列是最近幾年來發(fā)展最快的，研究的國家公司機構很多，如美國的洛克希德-馬丁、洛克威爾國際科學中心，雷聲、噴氣式推進實驗室和空軍研究實驗室等，日本的三菱電機和NTT，法國的湯姆遜和瑞典、加拿大、以色列的不少公司竟相研制發(fā)展，其中以噴氣式推進實驗室、雷聲和洛克希德-馬丁公司的進展最快，目前的陣列尺寸已達到640×484元，已評估了1024×1024元的雙色陣列，正在水平集成四色陣列。
o?\?@H %1+4_g9 ·GeSi/Si異質結構紅外焦平面陣列6，其工作機理類同于PtSi陣列。MBE技術的發(fā)展，為GeSi/Si、InSb和InGaAs、GaAlAs、HgCdTe等高性能大型陣列發(fā)展提供了先進的制作技術。麻省理工學院和林肯實驗室已制作了320×240元和400×400元的陣列，日本三菱電機公司的陣列規(guī)模已達到了512×512元，只是目前GeSi/Si陣列工作溫度明顯低于77K。
pYf-S?Y/V b OY |H~ ·非致冷紅外焦平面陣列，由于近幾年來取得的突破性進展，器件和整機系統(tǒng)應用技術的發(fā)展均很迅速，主要用于8～14μm的長波紅外波段探測，像美國霍尼韋爾、得克薩斯儀器、洛克希德馬丁、雷聲、因迪哥系統(tǒng)、薩爾諾夫和波特蘭前視紅外系統(tǒng)公司等，日本三菱電機公司、英國GEC-馬可尼和瑞典、加拿大等國的公司都競相發(fā)展這種技術，競爭幾乎遍及全球，發(fā)展甚為迅猛，目前常用商用陣列為320×240元，640×480元陣列即將問世。
$~T4hv : EXqE ~afm2 1.2 高性能
醴陵市|
治县。|
西林县|
澄江县|
泉州市|
松阳县|
银川市|
永宁县|
浮山县|
咸阳市|
渭南市|
中江县|
印江|
林口县|
武夷山市|
花莲市|
象州县|
安岳县|
吉林省|
甘洛县|
元朗区|
芜湖市|
车险|
乌兰察布市|
高陵县|
阿巴嘎旗|
厦门市|
霍山县|
龙南县|
巴里|
烟台市|
龙陵县|
塔城市|
楚雄市|
油尖旺区|
伊吾县|
玉田县|
五常市|
同心县|
东源县|
姚安县|
