LED芯片的制造工藝流程如下，供相關專業(yè)人士參考學習。 .?D7dyU l1  
c>,'Y)8  
外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 V39g,=`b%  
FTH|9OP
  
外延生長的基本原理是：在一塊加熱至適當溫度的襯底基片（主要有藍寶石和、SiC、Si）上，氣態(tài)物質InGaAlP有控制的輸送到襯底表面，生長出特定單晶薄膜。目前LED外延片生長技術主要采用有機金屬化學氣相沉積方法。 61,;Uc\T  
dV*]f$wQ  
MOCVD介紹：金屬有機物化學氣相淀積（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition，簡稱 MOCVD），1968年由美國洛克威爾公司提出來的一項制備化合物半導體單品薄膜的新技術。該設備集精密機械、半導體材料、真空電子、流體力學、光學、化學、計算機多學科為一體，是一種自動化程度高、價格昂貴、技術集成度高的尖端光電子專用設備，主要用于GaN（氮化鎵）系半導體材料的外延生長和藍色、綠色或紫外發(fā)光二極管芯片的制造，也是光電子行業(yè)最有發(fā)展前途的專用設備之一。 #9B)Xx!g  
&VhroHO  
其實外延片的生產制作過程是非常復雜的，在展完外延片后，下一步就開始對LED外延片做電極（P極，N極），接著就開始用激光機切割LED外延片（以前切割LED外延片主要用鉆石刀），制造成芯片后，在晶圓上的不同位置抽取九個點做參數(shù)測試。 rDD:7*z  
j?A/#  
1.主要對電壓、波長、亮度進行測試，能符合正常出貨標準參數(shù)的晶圓片再繼續(xù)做下一步的操作，如果這九點測試不符合相關要求的晶圓片，就放在一邊另外處理。 ED2a}Tt>Z  
",p;Sd  
2.晶圓切割成芯片后，100%的目檢（VI/VC），操作者要使用放大30倍數(shù)的顯微鏡下進行目測。 |+"<wEKI  
bo,_&4?  
3.接著使用全自動分類機根據(jù)不同的電壓，波長，亮度的預測參數(shù)對芯片進行全自動化挑選、測試和分類。 0m7Y>0wC6T  
QMA%$  
4.最后對LED芯片進行檢查（VC）和貼標簽。芯片區(qū)域要在藍膜的中心，藍膜上最多有5000粒芯片，但必須保證每張藍膜上芯片的數(shù)量不得少于1000粒，芯片類型、批號、數(shù)量和光電測量統(tǒng)計數(shù)據(jù)記錄在標簽上，附在蠟光紙的背面。藍膜上的芯片將做最后的目檢測試與第一次目檢標準相同，確保芯片排列整齊和質量合格。這樣就制成LED芯片（目前市場上統(tǒng)稱方片）。 S$f9m 常宁市| 蒲江县| 阿克苏市| 石渠县| 汝阳县| 石台县| 清徐县| 靖州| 广丰县| 天峻县| 紫金县| 白山市| 云南省| 饶阳县| 柘荣县| 旺苍县| 化德县| 延川县| 砀山县| 丰原市| 云林县| 皋兰县| 石家庄市| 思南县| 纳雍县| 道孚县| 巫山县| 东平县| 西乌| 松江区| 玉山县| 唐河县| 通辽市| 南召县| 安义县| 尼勒克县| 桃园县| 东平县| 沽源县| 洛扎县| 五原县|