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    [轉載]LED研制及產業(yè)化方面新進展解析 [復制鏈接]

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    只看樓主 正序閱讀 樓主  發(fā)表于: 2009-12-10
    一、引言        sHPlNwyy  
         中國電子科技集團公司第十三研究所(簡稱十三所)是國內最早開展超高亮度LED研制的單位,曾于1996年率先在國內引進了第一臺生產型(2400型)MOCVD設備,成立了河北匯能公司光電部,于1998年率先在國內建立了InGaAlP超高亮度LED生產線,建立了河北立德電子有限公司。多年來一直承擔國家863計劃課題,率先實現(xiàn)了InGaAlP超高亮度LED外延片和芯片的產業(yè)化,于2000年完成了InGaAlP超高亮度LED芯片的產品設計定型鑒定,并完成了863“超高亮度LED外延片和芯片的產業(yè)化基地”的建設。2001年十三所按照信息產業(yè)部的指示,又將超高亮度LED“863”產業(yè)化成果轉移至福建廈門三安電子有限公司,承擔了國內投資規(guī)模最大(5億人民幣)超高亮度LED生產廠家的籌建包括立項、廠房設計、技術培訓、設備選型等。十三所所多年來在推動我國超高亮度LED產業(yè)化方面作了許多工作。 np\*r|U  
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    二、紅外功率LED產品的更新?lián)Q代系列化 ^U^K\rq 1u  
         十三所在半導體功率型紅外LED的研制方面取得了許多科研成果。包括用于坦克夜視儀取代白熾燈的GaAs功率型紅外LED;可在直流1A、脈沖24A下工作的InP功率型紅外LED,專用于硅單晶少數(shù)載流子壽命測試儀,取代了真空光源。最近又用MOCVD外延生長技術研制出具有諧振腔結構的功率型紅外LED,成功的用于軍用瞄準系統(tǒng),完成了產品的更新?lián)Q代。同時紅外LED產品已成系列包括F004型、F005型、F006型、761型,峰值波長從900nm至1100nm,輸出光功率從10mW至180mW,光束角從38∘到170∘,可應用于紅外測距、紅外夜視、紅外通訊、光點自動控制、光電耦合等。 ?es9j]  
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    三、單芯片可見光功率LED的光效達到新水平 s]HJcgI  
    十三所研制的1W單芯片功率LED已完成產品設計定型。設計和制作了具有自主知識產權的用于功率型LED單芯片封裝的陶瓷金屬化管殼,并開展了封裝專題研究包括:對各種結構的大尺寸LED功率型芯片的電流分布和熱分布的比較;不同合金焊料和導電銀漿粘結功率芯片對熱阻的影響;不同灌封膠對可靠性的影響;共晶焊接和玻璃微透鏡制作的工藝研究。采用自行設計和制作的管殼封裝的F002型白光功率LED光源,如圖所示,流明效率一般在30Lm/W以上,最高達到38.6Lm/W;光通量均在43Lm以上,最高達到51Lm,色溫為3000-8000K,顯色指數(shù)可達到80以上,熱阻一般低于20W/℃.可用于特種照明如礦燈、閱讀燈、應急燈、手電筒等。 5>:p'zI  
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