超高亮度
LED的應用面不斷擴大，首先進入特種
照明的市場領域，并向普通照明市場邁進。由于LED芯片輸入
功率的不斷提高，對這些功率型LED的
封裝技術提出了更高的要求。功率型LED封裝技術主要應滿足以下兩點要求：一是封裝結構要有高的取光效率，其二是熱阻要盡可能低，這樣才能保證功率LED的光電性能和可靠性。
{ _QXx braHWC'VYg 半導體LED若要作為照明
光源，常規(guī)產品的光通量與白熾燈和熒光燈等通用性光源相比，距離甚遠。因此，LED要在照明領域發(fā)展，關鍵是要將其發(fā)光效率、光通量提高至現(xiàn)有照明光源的等級。功率型LED所用的外延材料采用MOCVD的外延生長技術和多量子阱結構，雖然其內量子效率還需進一步提高，但獲得高發(fā)光通量的最大障礙仍是
芯片的取光效率低。現(xiàn)有的功率型LED的設計采用了倒裝焊新結構來提高芯片的取光效率，改善芯片的熱特性，并通過增大芯片面積，加大工作電流來提高器件的光電轉換效率，從而獲得較高的發(fā)光通量。除了芯片外，器件的封裝技術也舉足輕重。關鍵的封裝技術工藝有：
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