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半導(dǎo)體制造技術(shù),作者:(美國(guó))Michael Quirk,(美國(guó))Julian Serda 《半導(dǎo)體制造技術(shù)》詳細(xì)追述了半導(dǎo)體發(fā)展的歷史并吸收了當(dāng)今最新技術(shù)資料，學(xué)術(shù)界和工業(yè)界對(duì)《半導(dǎo)體制造技術(shù)》的評(píng)價(jià)都很高。全書共分20章，根據(jù)應(yīng)用于半導(dǎo)體制造的主要技術(shù)分類來(lái)安排章節(jié)，包括與半導(dǎo)體制造相關(guān)的基礎(chǔ)技術(shù)信息；總體流程圖的工藝模型概況，用流程圖將硅片制造的主要領(lǐng)域連接起來(lái)；具體講解每一個(gè)主要工藝；集成電路裝配和封裝的后部工藝概況。此外，各章為讀者提供了關(guān)于質(zhì)量測(cè)量和故障排除的問(wèn)題，這些都是會(huì)在硅片制造中遇到的實(shí)際問(wèn)題。 半導(dǎo)體制造技術(shù)》旨在介紹半導(dǎo)體集成電路產(chǎn)業(yè)中的新工具和技術(shù)，以便提高讀者在工作過(guò)程中理解與使用相同或類似工具的能力。全書在細(xì)節(jié)上覆蓋了用于亞0.25um（O.18um及以下）工藝的新技術(shù)，通過(guò)描述早期的工具和工藝來(lái)闡明現(xiàn)代技術(shù)的發(fā)展。書中包括銅互連、化學(xué)機(jī)械平坦化（CMP）、低K介質(zhì)工藝、淺槽隔離（STl）、深紫外化學(xué)放大光刻膠、步進(jìn)與掃描系統(tǒng)、具有雙大馬士革的銅金屬化等。書中還解釋了產(chǎn)業(yè)變化漫長(zhǎng)歷史中的所有工藝和設(shè)備，以及工藝需求和設(shè)備性能的技術(shù)關(guān)系，并給出了設(shè)備潛在性能與最佳制造所需工藝參數(shù)之間的折中。 《半導(dǎo)體制造技術(shù)》主要特點(diǎn)： 在工藝章節(jié)（第10章至第18章）中討論了關(guān)于設(shè)備和工藝的質(zhì)量測(cè)量及故障排除等問(wèn)題，在硅片制造中會(huì)遇到這些問(wèn)題 全書通過(guò)大量生動(dòng)的圖表和具體翔實(shí)的數(shù)據(jù)來(lái)解釋技術(shù)性內(nèi)容，為讀者提供了視覺支持，以掌握抽象的概念和原理 每章最后有小結(jié)、關(guān)鍵術(shù)語(yǔ)、相關(guān)設(shè)備供應(yīng)商網(wǎng)站和復(fù)習(xí)題 附錄中給出了關(guān)于安全性和技術(shù)信息等頗有價(jià)值的內(nèi)容  市場(chǎng)價(jià)：¥59.00 優(yōu)惠價(jià)：¥43.70 為您節(jié)省：15.30元 (74折)  第1章 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)介紹 目標(biāo) 1.1 引言 1.2 產(chǎn)業(yè)的發(fā)展 1.3 電路集成 1.4 集成電路制造 1.5 半導(dǎo)體趨勢(shì) 1.6 電子時(shí)代 1.7 在半導(dǎo)體制造業(yè)中的職業(yè) 1.8 小結(jié) 第2章 半導(dǎo)體材料特性 目標(biāo) 2.1 引言 2.2 原子結(jié)構(gòu) 2.3 周期表 2.4 材料分類 2.5 硅 2.6 可選擇的半導(dǎo)體材料 2.7 小結(jié) |
