《
半導(dǎo)體薄膜技術(shù)與
物理》全面
系統(tǒng)地介紹了半導(dǎo)體薄膜的各種制備技術(shù)及其相關(guān)的物理基礎(chǔ)。全書共分十章。第一章概述了真空技術(shù),第二至第八章分別介紹了蒸發(fā)、濺射、化學(xué)氣相沉積、脈沖
激光沉積、分子束外延、液相外延、濕化學(xué)合成等各種半導(dǎo)體薄膜的沉積技術(shù),第九章介紹了半導(dǎo)體超晶格、量子阱的基本概念和理論,第十章介紹了典型薄膜半導(dǎo)體器件的制備技術(shù)。
bm4Bq>*=U 《半導(dǎo)體薄膜技術(shù)與物理》文字?jǐn)⑹錾狭η笞龅缴钊霚\出,內(nèi)容上深度和寬度相結(jié)合,理論和實踐相結(jié)合,以半導(dǎo)體薄膜技術(shù)為重點,結(jié)合半導(dǎo)體
材料和器件的性能介紹,同時還介紹了半導(dǎo)體薄膜技術(shù)與物理領(lǐng)域的新概念、新進(jìn)展、新成果和新技術(shù)。《半導(dǎo)體薄膜技術(shù)與物理》具有內(nèi)容翔實、概念清楚、圖文并茂的特點。
{-f%g-@L6| 《半導(dǎo)體薄膜技術(shù)與物理》讀者對象廣泛,可作為高等院校材料、物理、
電子、化學(xué)等學(xué)科的研究生或高年級本科生的半導(dǎo)體薄膜技術(shù)課程的教材,也可作為從事半導(dǎo)體材料、薄膜材料、光電器件等領(lǐng)域的科研人員、工程技術(shù)人員的參考書籍。
n$9Xj@+ 葉志鎮(zhèn),男,1955年5月生于浙江溫州。1987年獲浙江大學(xué)光儀系工學(xué)博士學(xué)位;畢業(yè)后留校工作,1990~1992年留學(xué)美國麻省理工學(xué)院(MIT);1994年晉升為教授;1996年選為博導(dǎo)。現(xiàn)為浙江大學(xué)材料與化學(xué)工程學(xué)院副院長、浙江大學(xué)納米中心主任。 1988年進(jìn)入浙江大學(xué)材料系,在硅材料國家重點實驗室一直從事半導(dǎo)體薄膜教學(xué)科研工作,主要研究方向:Zn0薄膜材料制備、物性調(diào)控及光電應(yīng)用;納米薄層材料高真空CVD技術(shù)研發(fā)及應(yīng)用。現(xiàn)兼任國家自然科學(xué)基金委信息科學(xué)部評審組成員,全國電子材料專委副主任,全國半導(dǎo)體與集成技術(shù)、半導(dǎo)體材料和半導(dǎo)體物理專委委員等。
owb+,Gk( 《半導(dǎo)體薄膜技術(shù)與物理》共分十章,以葉志鎮(zhèn)教授“半導(dǎo)體薄膜技術(shù)物理”講義為基礎(chǔ)編撰而成。第一章敘述了真空技術(shù)的基本知識;第二章至第八章是《半導(dǎo)體薄膜技術(shù)與物理》的核心內(nèi)容,結(jié)合各種半導(dǎo)體材料,詳細(xì)介紹了蒸發(fā)、濺射、化學(xué)氣相沉積、脈沖激光沉積、分子束外延、液相沉積和濕化學(xué)合成等半導(dǎo)體薄膜技術(shù)與物理;第九章介紹了超晶格的相關(guān)知識,超晶格、量子阱是現(xiàn)代新型半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)和關(guān)鍵;第十章介紹了典型薄膜半導(dǎo)體器件的制備技術(shù),包括發(fā)光二極管、薄膜晶體管和紫外探測器。
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