《半導體材料與器件表征技術》詳細介紹了現(xiàn)代半導體工業(yè)中半導體材料和器件的表征技術，基本上覆蓋了所有的電學與光學測試方法，以及非常專業(yè)的與半導體材料相關的物理和化學測試方法。作者不但論述了測量中的相關物理問題及半導體材料與器件的參數(shù)的物理起源和物理意義，還將自己和他人的經(jīng)驗凝結其中，并給出了具體測量手段，同時指出不同手段的局限性和測量注意事項。 .-s!} P"  
本版經(jīng)修訂及擴展，增加了許多逐漸成熟起來的表征技術，如從探測硅晶圓中金屬雜質的掃描探針到用于無接觸式電阻測量的微波反射技術。本版特色如下： .ZQXY%g  
增加了可靠性和探針顯微技術方面的全新內容；增加了大量例題和章后習題；修訂了500幅圖例；更新了超過1200條參考文獻；采用了更合適的單位制，而不是嚴格的MKS單位制。 9|>y[i  
《半導體材料與器件表征技術》可作為碩士、博士研究生的教材，也可供高校教師、半導體工業(yè)研究人員參考使用。 zXGI{P0O  
DIETER K.SCHRODER是亞利桑那州立大學電子工程系教授，亞利桑那州立大學工程學院教學杰出貢獻獎獲得者，曾著《現(xiàn)代MOS器件》一書。 -=rGN"(M _  
全書共分電學表征、光學表征和物理表征三個部分，主要對半導體材料和器件表征技術作了介紹，具體內容包括電阻率、載流子和摻雜濃度、載流子壽命、光學表征、物理化學特性的表征等。《半導體材料與器件表征技術》在國外被廣泛選用為研究生專業(yè)課教材及工程技術人員的參考書，并在文獻中被大量引用。 )`5-rm~*  

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