目前國(guó)內(nèi)的功率半導(dǎo)體的現(xiàn)狀到底如何，和國(guó)外比較還有什么差距。為了更好的解答，半個(gè)月來(lái)，筆者和相關(guān)領(lǐng)導(dǎo)、業(yè)內(nèi)專(zhuān)家、業(yè)界人士進(jìn)行了交流，本博文將就國(guó)內(nèi)的功率半導(dǎo)體的現(xiàn)狀到底如何分析如下。 }'.m*#Y  
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應(yīng)該說(shuō)，在中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展過(guò)程中，半導(dǎo)體分立器件的作用長(zhǎng)期以來(lái)都沒(méi)有引起人們足夠的重視，政府的投入也很少，發(fā)展速度遠(yuǎn)遠(yuǎn)滯后于集成電路。 9gFUaDLo  
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國(guó)內(nèi)分立器件廠商的主要產(chǎn)品以硅基二極管、三極管和晶閘管為主，目前國(guó)際功率半導(dǎo)體器件的主流主品功率MOS器件只是近年來(lái)才有所涉及，且主要為平面柵結(jié)構(gòu)的VDMOS器件，IGBT還處于研發(fā)階段。寬禁帶半導(dǎo)體器件主要是以微波功率器件（SiCMESFET和GaNHEMT）為主，尚未有針對(duì)市場(chǎng)應(yīng)用的寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品器件的產(chǎn)品研發(fā)。 7Wno':w8  
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從功率半導(dǎo)體的產(chǎn)品分類(lèi)來(lái)說(shuō) +0~YP*I`/  
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1.普通二極管、三極管?chē)?guó)內(nèi)的自給率已經(jīng)很高，但是在高檔的功率二極管，大部分還依賴(lài)進(jìn)口，國(guó)內(nèi)的產(chǎn)品性能還有不小的差距。 JO;Uus{?  
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2.晶閘管類(lèi)器件產(chǎn)業(yè)成熟，種類(lèi)齊全，普通晶閘管、快速晶閘管、超大功率晶閘管、光控晶閘管、雙向晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、高頻晶閘管都能生產(chǎn)。中國(guó)南車(chē)集團(tuán)現(xiàn)在可以生產(chǎn)6英寸、4000A、8500V超大功率晶閘管，居世界領(lǐng)先水平，已經(jīng)在我國(guó)的機(jī)車(chē)上大量使用，為我國(guó)的鐵路現(xiàn)代化建設(shè)做出了貢獻(xiàn)。 /\Ef%@  
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3.在功率管領(lǐng)域，逐步有國(guó)內(nèi)的企業(yè)技術(shù)水平上升到MOS工藝，MOSFET的產(chǎn)業(yè)有一定規(guī)模，進(jìn)入21世紀(jì)后，這類(lèi)器件的產(chǎn)品已批量進(jìn)入市場(chǎng)，幾十安培、200V的器件在民用產(chǎn)品上獲得了廣泛應(yīng)用，進(jìn)口替代已然開(kāi)始。 $k?>DP4  
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4.IGBT、FRD已經(jīng)有所突破，F(xiàn)RD初見(jiàn)規(guī)模。IGBT從封裝起步向芯片設(shè)計(jì)制造發(fā)展，從PT結(jié)構(gòu)向NPT發(fā)展，溝槽工藝正在開(kāi)發(fā)中。IGBT產(chǎn)品進(jìn)入中試階段， . ^u,.  
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5.在電源管理領(lǐng)域，2008年前十名都見(jiàn)不到國(guó)內(nèi)的企業(yè)。 YN,A)w:]  
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