AZO透明導(dǎo)電薄膜技術(shù)近況發(fā)展與應(yīng)用   MEKsL7  
VCf/EkC  
近年來隨著液晶顯示器與太陽能電池的發(fā)展，使得透明導(dǎo)電薄膜成為關(guān)鍵性材料之一。因此，如何降低透明導(dǎo)電薄膜材料成本與提高薄膜材料的性能為目前的首要目標(biāo)。所以在美國、歐洲與亞洲的研究學(xué)者都急欲發(fā)展出新一世代的透明導(dǎo)電薄膜材料。目前有幾種因素在加速驅(qū)動這新世代透明導(dǎo)電薄膜的誕生。首先是由於目前所常用的ITO透明導(dǎo)電薄膜材料其主要是應(yīng)用在液晶顯示器與太陽能電池上，但近年來液晶顯示器與太陽能電池的需求大增。此外，觸控面板的成長性亦相當(dāng)可觀。富士總研估計觸控面板2006年全球產(chǎn)值25.4億美金，2007年已達(dá)27億美金。此一新興電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展亦助長了ITO薄膜的使用，因而造成銦的價格在過去的三年中大幅成長，目前銦的價錢已經(jīng)超過600USD/kg。因此開發(fā)具透光、導(dǎo)電特性之「非銦」材料，或許是解決銦供給不足的方法之一。這些因素促使發(fā)展新型之透明導(dǎo)電薄膜技術(shù)與材料，成為近年來眾多研究學(xué)者所欲突破的目標(biāo)。 1xBgb/+  
eICav
p  
AZO(氧化鋁鋅)透明導(dǎo)電薄膜特性 #X 1 GL  
1/\JJ\  
氧化鋅（Zinc Oxide, ZnO）屬於N型Ⅱ－Ⅵ族半導(dǎo)體材料，其結(jié)構(gòu)為Wurzite hexagonal structure，屬於六方最密堆積。氧化鋅具有高熔點(diǎn)（1975℃）和極佳熱穩(wěn)定性，能溶於酸鹼，但不溶於水及酒精。氧化鋅光學(xué)能隙約為3.3  eV，大於可見光的能量，因此於可見光範(fàn)圍內(nèi)具有高穿透率。氧化鋅電阻值高，具有壓電效應(yīng)，傳統(tǒng)應(yīng)用於壓電材料上，另外亦可應(yīng)用於表面聲波元件或是UV光發(fā)射器材料等。氧化鋅其電子傳導(dǎo)是由化學(xué)劑量比的偏差所產(chǎn)生的，由氧空缺（oxygen  vacancies）及間隙型鋅原子（interstitial znic）之淺層受體能階（shallow donor  levels）提供，氧化鋅的電阻較高，因此一般於透明導(dǎo)電薄膜的應(yīng)用上，則會將其摻雜Ш族元素（鋁、鎵、銦等），使其導(dǎo)電特性提高，同時也增加其高溫穩(wěn)定性。因此提供適當(dāng)量摻雜量的鋁，能夠使氧化鋅的導(dǎo)電性變佳。 }aSTo"~m#  
}o,-@R~  
由於AZO透明導(dǎo)電薄膜其價格較為低廉，且不具毒性。因此在發(fā)展上具相當(dāng)之優(yōu)異性。因此，沉積AZO薄膜技術(shù)的發(fā)展也相當(dāng)多元化，目前沉積此薄膜主要有下列幾種技術(shù)： j3=%J5<  
{wJ8% ;Z7  
脈衝雷射蒸鍍(Pulsed Laser Deposition；PLD) j{&*]QTN  
;+;%s D  
一般在鍍製ITO透明導(dǎo)電薄膜時，其最佳之靶材比例為5-10 % 的SnO2摻雜至 In2O3。但在AZO薄膜材料中其最佳之鋁之摻雜比例<5%，因此就AZO薄膜而言，所摻雜金屬元素的含量控制是相當(dāng)重要的。PLD之實(shí)驗(yàn)技術(shù)可確保薄膜成分與靶材成分比例的一致性。因此，將靶材比例控制在2-5%(Al:ZnO)來成長AZO薄膜，其薄膜的製程溫度為400℃，真空腔體的氧分壓為~10-3  Torr。 lf2Q  
!a9`]c  
不同鋁含量下，AZO薄膜之電阻率與載子濃度之關(guān)析圖 >a%C'H.A9  
万州区| 凤山市| 正安县| 内丘县| 海门市| 庆元县| 乐昌市| 紫金县| 体育| 济源市| 京山县| 庆云县| 固镇县| 土默特右旗| 南华县| 长阳| 台山市| 五原县| 日土县| 阜阳市| 达孜县| 抚顺市| 左贡县| 玛纳斯县| 静乐县| 桓台县| 裕民县| 和林格尔县| 新郑市| 巩留县| 天镇县| 桂东县| 唐河县| 定远县| 汉川市| 永修县| 五河县| 溧水县| 邵武市| 勐海县| 涿州市|