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    [轉(zhuǎn)載]首次觀察到強(qiáng)激光在碳薄膜上產(chǎn)生的準(zhǔn)單能電子束 [復(fù)制鏈接]

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    只看樓主 倒序閱讀 樓主  發(fā)表于: 2011-04-05
    關(guān)鍵詞: 激光波長薄膜電子晶體
    《THE EUROPEAN PHYSICAL JOURNAL D》雜志最近刊登了德國馬普量光研究所等單位聯(lián)合發(fā)表的一篇題為《第一次觀察到強(qiáng)激光作用在碳薄膜上產(chǎn)生的準(zhǔn)單能電子束》的文章。 ~a'nHy1  
    強(qiáng)激光作用在物質(zhì)上可以通過空泡機(jī)制加速電子到GeV的能量,這樣的在電子在激光等離子體中運(yùn)動會發(fā)射數(shù)KeV不相干的X射線。最近又提出了一種新的概念,通過超強(qiáng)激光與超薄靶相互作用能夠產(chǎn)生高密度的相對論帶狀電子束,此文在實(shí)驗上利用這種機(jī)制獲得準(zhǔn)單能的電子束。在本實(shí)驗中,采用的是美國洛斯阿拉莫斯國家實(shí)驗室(LANL)的Trident激光裝置,其傳輸?shù)哪芰繛?0J,脈寬為500fs,中心波長為1.053μm,聚焦光斑為9.4μm,峰值光強(qiáng)為2*1020W/cm2,對比度為5*10-10,線性偏振,用這樣的激光正入射到類金剛石結(jié)構(gòu)的碳薄膜(DLC)靶上。DLC是由金剛石和石墨晶體共同組成的準(zhǔn)非晶態(tài),具有透明性、強(qiáng)機(jī)械張力及高硬度的特點(diǎn),這樣的靶適用與該實(shí)驗。實(shí)驗中DLC有兩個靶厚,分別為5nm和42nm。實(shí)驗裝置示意圖如圖一所示,其中電子由永久磁鐵電子能譜儀診斷,與激光傳播方向的夾角為6.50,并用一個Thomson能譜儀對離子進(jìn)行探測,置于激光的傳播方向。 0M#N=%31  
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    圖一 強(qiáng)激光作用在碳薄膜上產(chǎn)生的準(zhǔn)單能電子束實(shí)驗裝置示意圖
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    通過實(shí)驗得知,5nm的DLC和42nmDLC的結(jié)果截然不同。當(dāng)DLC的厚度為42nm時,電子的能譜呈現(xiàn)類麥克斯韋分布,這和之前用微米靶的情況相同,此時熱電子的溫度為12MeV。而當(dāng)DLC的厚度為5nm時,電子的能譜在30MeV處存在一個明顯的峰值,能譜寬度的均方根為9MeV,在這個能量范圍內(nèi)電子電量達(dá)到7pC。且對于能量為20MeV以上的電子而言,電子總能量在5nm情況下要比42nm情況時大2.5倍以上。與此同時,在兩種情形下,離子的截止能量也有很大的區(qū)別。42nm情況時,C6+和質(zhì)子的截止能量分別為160MeV和37MeV;5nm時,C6+和質(zhì)子的截止能量分別降至為60MeV和19MeV,離子總能量相對于42nm情形降低了至少20倍。電子和離子的能譜分布如圖二所示: -d|BO[4j  
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