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    [求助]請(qǐng)教一下二氧化硅,二氧化鈦的折射率與充氧的關(guān)系 [復(fù)制鏈接]

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    離線xiawj0951
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    只看該作者 10樓 發(fā)表于: 2007-06-22
    一般而言,氧化鈦充氧太低的話會(huì)由于鍍膜過(guò)程中失氧,導(dǎo)致產(chǎn)生吸收。充氧過(guò)高的話,折射率會(huì)降低。二氧化硅失氧很少,一般充氧壓力要低些。 xY^ %&n  
    像TIO2,典型的充氧壓為1.2-1.6*10-4TORR, 二氧化硅典型的充氧壓為7-9*10-5TORR
    離線jhshui
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    只看該作者 11樓 發(fā)表于: 2008-11-16
    引用樓主007771021于2006-04-27 10:59發(fā)表的 請(qǐng)教一下二氧化硅,二氧化鈦的折射率與充氧的關(guān)系 : <FcG oGK  
      本人在使用這兩種膜料的時(shí)候,感覺(jué)不是十分的穩(wěn)定,不知道該如何控制充氧量。還有就是,充氧量和他們的折射率的關(guān)系是怎樣的。特來(lái)請(qǐng)教一下各位高人。謝謝
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    如果充氧量大,Si被充分氧化,則薄膜折射率與化學(xué)計(jì)量比的塊體二氧化硅的應(yīng)該接近,若充氧量小,Si氧化不夠,則薄膜中會(huì)有單質(zhì)Si存在,則折射率會(huì)高一些。另外空隙率的多少也會(huì)影響到折射率。充氧量的大小會(huì)影響到沉積速率,從而影響孔隙率。
    離線gszljw
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    只看該作者 12樓 發(fā)表于: 2008-11-22
    TIO2的充O2量一般為1.2*10-4Torr
    離線lwt2004
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    只看該作者 13樓 發(fā)表于: 2008-12-12
    對(duì)于TiO2來(lái)說(shuō),導(dǎo)氧多屈折率高,導(dǎo)氧少屈折率低。如果作IRcut的話,導(dǎo)氧多屈折率高,帶寬比較寬。通常情況下,TiO2的導(dǎo)氧量差不多1.0E-2——2.0E-2Pa之間,但是最基本的原則是沒(méi)有吸收。Sio2是不用導(dǎo)氧的,屈折率基本沒(méi)有變化。
    離線9603128
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    只看該作者 14樓 發(fā)表于: 2009-04-13
    通常情況下,TiO2的導(dǎo)氧量差不多2.0E-2——2.8E-2Pa之間,但是最基本的原則是沒(méi)有吸收。Sio2是不用導(dǎo)氧的,屈折率基本沒(méi)有變化。
    離線shenbin
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    只看該作者 15樓 發(fā)表于: 2009-04-19
    好問(wèn)題值得關(guān)注
    離線aimaer
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    只看該作者 16樓 發(fā)表于: 2009-05-13
    SiO2一般不充,Tiox充15~35sccm之間,跟index相關(guān).
    離線dzhhao
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    只看該作者 17樓 發(fā)表于: 2012-03-26
    我有臺(tái)機(jī)器,內(nèi)腔比較大,充40SCCM,真空度還在10-5torr量級(jí),看IAD的參數(shù)真空度在10-4torr.那得充多少流量才能到10-4量級(jí)?
    離線f4213705
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    只看該作者 18樓 發(fā)表于: 2012-03-27
    充多了,偏薄,充少了,偏后
    離線tomysmith68
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    只看該作者 19樓 發(fā)表于: 2012-03-27
    我們的設(shè)備好像做增透膜的時(shí)候,使用二氧化硅,不需要充氧呀 =XucOli6  
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