隨著納米技術(shù)日新月異的發(fā)展，研究已深入到原子挨原子的分子級(jí)，構(gòu)造具有全新特性的新結(jié)構(gòu)。特別地，納米電子領(lǐng)域的發(fā)展十分迅速，其潛在影響涉及非常寬的行業(yè)領(lǐng)域。目前的納米電子研究的內(nèi)容主要是如何開(kāi)發(fā)利用碳納米管、半導(dǎo)體納米線、分子有機(jī)電子和單電子器件。 Q /U2^  
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不過(guò)，由于多方面的原因，這些微小器件無(wú)法采用標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試技術(shù)進(jìn)行測(cè)試。其中一個(gè)主要原因在于這類(lèi)器件的物理尺寸。某些新型“超CMOS”器件的納米級(jí)尺寸很小，很容易受到測(cè)量過(guò)程使用的甚至很小電流的損壞。此外，傳統(tǒng)直流測(cè)試技術(shù)也不總是能夠揭示器件實(shí)際工作的情況。 6]K_m(F  
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