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    [分享]納米器件電學(xué)性能測(cè)量技術(shù)介紹 [復(fù)制鏈接]

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    只看樓主 倒序閱讀 樓主  發(fā)表于: 2011-05-07
    隨著納米技術(shù)日新月異的發(fā)展,研究已深入到原子挨原子的分子級(jí),構(gòu)造具有全新特性的新結(jié)構(gòu)。特別地,納米電子領(lǐng)域的發(fā)展十分迅速,其潛在影響涉及非常寬的行業(yè)領(lǐng)域。目前的納米電子研究的內(nèi)容主要是如何開發(fā)利用碳納米管、半導(dǎo)體納米線、分子有機(jī)電子和單電子器件 C&w0HoF  
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    不過,由于多方面的原因,這些微小器件無法采用標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試技術(shù)進(jìn)行測(cè)試。其中一個(gè)主要原因在于這類器件的物理尺寸。某些新型“超CMOS”器件的納米級(jí)尺寸很小,很容易受到測(cè)量過程使用的甚至很小電流的損壞。此外,傳統(tǒng)直流測(cè)試技術(shù)也不總是能夠揭示器件實(shí)際工作的情況。 8Zsaq1S  
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