本報(bào)訊據(jù)美國物理學(xué)家組織網(wǎng)7月24日報(bào)道,美國科學(xué)家研發(fā)出了一種新方法,改變了
半導(dǎo)體的三維
結(jié)構(gòu),使其在保持電學(xué)特性的同時(shí)擁有了新的
光學(xué)性質(zhì),并據(jù)此研制出了首塊光學(xué)電學(xué)性能都很活躍的新型光子晶體,為以后研制出新式
太陽能電池、
激光器、超
材料等打開了大門。研究發(fā)表在最新一期《自然·材料學(xué)》雜志上。
'BUdySng 光子晶體材料具有獨(dú)特的物理結(jié)構(gòu),它能采用不同于傳統(tǒng)光學(xué)材料和設(shè)備的特殊方式誘發(fā)非同尋常的現(xiàn)象并影響光子的行為,可廣泛應(yīng)用于
激光器、太陽能設(shè)備、超材料等中。之前由科學(xué)家們研制出的光子晶體只能得到用光學(xué)方法激活的設(shè)備,這些設(shè)備能引導(dǎo)光,但無法被電所激活,因此,其無法將電變成光或相反。
o<C~67o_ 伊利諾斯大學(xué)材料科學(xué)和工程學(xué)教授保羅·布勞恩領(lǐng)導(dǎo)的科研團(tuán)隊(duì)研制出的最新光子晶體卻兼具光學(xué)和電學(xué)性質(zhì)。該研究的參與者埃里克·尼爾森解釋道,新光子晶體可以讓光學(xué)和電學(xué)性能同時(shí)達(dá)到最
優(yōu)化,這就使人們能更好地控制光的散射、吸收以及增強(qiáng)。
pdtK3Pf 為了制造出該三維光子晶體,科學(xué)家們先讓一些細(xì)小的球簇?fù)碓谝黄鹦纬梢粔K模板,接著,他們將一種廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體中的材料砷化鎵(GaAs)沉積在模板上,讓砷化鎵通過模板填充球之間的縫隙。
Q@d X2 砷化鎵作為單個(gè)晶體開始從下往上生長,這個(gè)過程被稱作外延生長技術(shù),工業(yè)界一般使用該技術(shù)來制造平的、二維的單晶體半導(dǎo)體
薄膜,但布勞恩團(tuán)隊(duì)卻對(duì)這種技術(shù)進(jìn)行了升級(jí)改造,用來制造錯(cuò)綜復(fù)雜的三維結(jié)構(gòu)。
F'SOl*v(s5 這種自下而上的外延生長技術(shù)消除了制造三維光子結(jié)構(gòu)普遍采用的自上而下構(gòu)造方法可能導(dǎo)致的很多缺陷。另一個(gè)好處是,它讓制造出層層堆積而成的半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)變得更方便。例如,可以通過先用砷化鎵部分填充該模板,再用另一種材料填滿,從而將一個(gè)量子勢阱層引入光子晶體中。
eQC`e#% 一旦該模板被填滿,科學(xué)家們就會(huì)移除球體,只留下一個(gè)復(fù)雜多孔的單晶體半導(dǎo)體三維結(jié)構(gòu),接著,他們用一層非常纖薄的具有更寬頻帶間隙的半導(dǎo)體包裹住整個(gè)結(jié)構(gòu)以改進(jìn)其性能并阻止表面復(fù)合。
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