LED是利用化合物材料制成pn結(jié)的光電器件。它具備pn結(jié)結(jié)型器件的電學特性:I-V特性、C-V特性和光學特性:光譜響應(yīng)特性、發(fā)光光強指向特性、時間特性以及熱學特性。
J|"nwY}a9 1、LED電學特性
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H 1.1 I-V特性 表征LED芯片pn結(jié)制備性能主要參數(shù)。LED的I-V特性具有非線性、整流性質(zhì):單向?qū)щ娦裕赐饧诱珘罕憩F(xiàn)低接觸電阻,反之為高接觸電阻。
])QO% 如左圖:
4kaE}uKU (1) 正向死區(qū):(圖oa或oa′段)a點對于V0 為開啟電壓,當V<Va,外加電場尚克服不少因載流子擴散而形成勢壘電場,此時R很大;開啟電壓對于不同LED其值不同,GaAs為1V,紅色GaAsP為1.2V,GaP為1.8V,GaN為2.5V。
BbXU|QtY (2)正向工作區(qū):電流IF與外加電壓呈指數(shù)關(guān)系
BA1MGh IF = IS (e qVF/KT –1) -------------------------IS 為反向飽和電流 。
{8{t]LK< V>0時,V>VF的正向工作區(qū)IF 隨VF指數(shù)上升 IF = IS e qVF/KT
;-9zMbte: (3)反向死區(qū) :V<0時pn結(jié)加反偏壓
B%eDBu
") V= - VR 時,反向漏電流IR(V= -5V)時,GaP為0V,GaN為10uA。
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