非晶態(tài)碲鎘汞薄膜的射頻磁控濺射生長及其結(jié)構和光學特性摘要：在玻璃襯底上用射頻磁控濺射技術進行了非晶態(tài)碲鎘汞( a2Hg Cd Te , a2MCT)薄膜的低溫生長. 采用 X 射線衍射 is-{U?-  
( XRD)和原子力顯微(AFM)技術對所生長的薄膜進行分析研究,所生長的非晶態(tài) Hg CdTe 薄膜表面平整,沒有晶粒出現(xiàn),獲得了射頻磁控濺射生長非晶態(tài) Hg CdTe 薄膜的 “生長窗口” .采用傅里葉紅外透射光譜分析技術對非晶態(tài) Hg Cd Te 薄膜進行了光學性能研究,在 110～210μm 范圍內(nèi)研究了薄膜的透射譜線,獲得了薄膜的吸收系數(shù)(～8 ×104cm - 1) ,研究了其光學帶隙(約 0183eV)和吸收邊附近的 3 個吸收區(qū)域. ku
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關鍵詞：非晶態(tài)碲鎘汞；射頻磁控濺射；光學帶隙