膜厚對直流磁控濺射Nb薄膜微結(jié)構(gòu)的影響摘要：采用直流磁控濺射方法制備膜厚為 50 , 100 , 200 , 400 , 600 nm 的 Nb 薄膜 ,對薄膜的沉積速率、 表面形貌、 晶體結(jié)構(gòu)進行了研究 ,并對其應(yīng)力和擇優(yōu)取向進行了詳細的分析。原子力顯微鏡圖像顯示 Nb膜表面光滑、 致密 ,均方根粗糙度達到 0. 1 nm量級。X射線小角衍射給出了薄膜的晶格結(jié)構(gòu)、 晶粒尺寸和應(yīng)力 A |nU
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情況。分析表明薄膜為多晶體心立方結(jié)構(gòu)(bcc) ,在(110)晶面方向存在明顯的擇優(yōu)取向 ,且隨著薄膜厚度增大而增強。Nb膜應(yīng)力先隨薄膜厚度增大而增大 ,在 200 nm時達到最大值(為 1. 015 1 GPa) ,后隨薄膜厚度的增大有所減小。 1#RA+d(
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關(guān)鍵詞：ICF靶；直流磁控濺射；Nb膜；擇優(yōu)取向；體心立方
