直流反應磁控濺射法制備VO2薄膜摘要：VO2 是一種相變材料。發(fā)生相變時 ,VO2 的電阻、 透過率、 反射率都會發(fā)生顯著的變化;反應磁控濺射法是制備VO2 薄膜的一種比較理想的方法。文中 ,重點討論氧氬氣質量流量比 m (O2) / m (Ar) 、 基片溫度以及沉積后薄膜的退火處理對制備薄膜成分、 結構和性能的影響。通過分析得出 m(O2) / m (Ar)比在 1∶ 13 和 1∶ 12 間具有較高的 VO2 含量;基片溫度在 250℃ 時具有較佳的VO2 結晶特性;450 ℃ 保持2 h的真空退火處理可以改變薄膜成分和結構 ,使高價的 V2O5 薄膜還原到四價的VO2 ,且明顯減少薄膜的氧缺陷 ,提高氧原子的含量 ,減少空洞 ,增加晶粒尺寸提高膜的致密度。 J/:U,01  
*9xxX,QT8Q  
關鍵詞：反應磁控濺射； 二氧化釩；薄膜；沉積條件