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中頻磁控濺射制備GaN薄膜
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磁控濺射
薄膜
中頻
磁控濺射
制備GaN薄膜摘要:采用中頻磁控濺射技術(shù),以
金屬
Ga 為靶
材料
,在 Si(111)襯底上形成了 GaN
薄膜
,研究了濺射壓強(qiáng)、襯底溫度等對(duì)GaN薄膜
結(jié)構(gòu)
和成分的影響。發(fā)現(xiàn)沉積氣壓為0.4~1.0 Pa 時(shí),薄膜呈GaN(002)取向,氣壓大于1.0 Pa 和小于0.4 Pa 時(shí),用 X 射線
衍射
方法難以觀察到GaN(002)的衍射峰。X射線能譜分析表明在最佳實(shí)驗(yàn)
)A%* l9\nG
條件下制備的GaN薄膜的元素比Ga:N為1:1。
w
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