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    [下載]中頻磁控濺射制備GaN薄膜 [復(fù)制鏈接]

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    只看樓主 倒序閱讀 樓主  發(fā)表于: 2011-12-18
    關(guān)鍵詞: 磁控濺射薄膜
    中頻磁控濺射制備GaN薄膜摘要:采用中頻磁控濺射技術(shù),以金屬 Ga 為靶材料,在 Si(111)襯底上形成了 GaN 薄膜,研究了濺射壓強(qiáng)、襯底溫度等對(duì)GaN薄膜結(jié)構(gòu)和成分的影響。發(fā)現(xiàn)沉積氣壓為0.4~1.0 Pa 時(shí),薄膜呈GaN(002)取向,氣壓大于1.0 Pa 和小于0.4 Pa 時(shí),用 X 射線衍射方法難以觀察到GaN(002)的衍射峰。X射線能譜分析表明在最佳實(shí)驗(yàn) )A%* l9\nG  
    條件下制備的GaN薄膜的元素比Ga:N為1:1。 w 青铜峡市| 嵊州市| 浮梁县| 舟山市| 博客| 饶阳县| 玛纳斯县| 乐至县| 汪清县| 会宁县| 佛山市| 勃利县| 上蔡县| 宁安市| 浦北县| 临澧县| 理塘县| 五原县| 翁牛特旗| 邳州市| 信宜市| 南郑县| 扎赉特旗| 翁源县| 应用必备| 宁都县| 晋城| 广安市| 乐昌市| 吉木乃县| 大田县| 苗栗县| 青铜峡市| 黔南| 靖西县| 项城市| 利辛县| 泗阳县| 临武县| 堆龙德庆县| 隆回县|