中頻反應磁控濺射制備Al2O3:Ce薄膜及其光致發(fā)光特性摘要：用中頻反應磁控濺射技術(shù)制備了 Al2O3:Ce3+的非晶薄膜。XPS 監(jiān)測顯示，薄膜中有 Ce3+生成。這些薄膜的光致發(fā)光峰是在 374 nm 附近，它來自于 Ce3+離子的 5d1激發(fā)態(tài)向基態(tài) 4f1的兩個劈裂能級的躍遷。發(fā)光強度強烈地依賴于薄膜的摻雜濃度，但發(fā)光峰位置不隨摻雜濃度而變化。Ce3+含量和薄膜的化學成分是通過 X 射線散射能譜（EDS）測量 的。薄膜試樣的晶體結(jié)構(gòu)應用 X 射線衍射分析。俄歇電子譜用于對薄膜材料的化學組分進行定性分析。發(fā)射純藍光的Al2O3:Ce3+非晶薄膜在平板顯示等領域有著廣泛的潛在應用前景。 L^x5&CCwk
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關(guān)鍵詞：光致發(fā)光；Al2O3；薄膜；磁控濺射；稀土元素
