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    [分享]半導體照明技術標準化現(xiàn)狀 [復制鏈接]

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    只看樓主 倒序閱讀 樓主  發(fā)表于: 2006-06-09
    1 國外相關標準化組織 ^T}6o Ud  
    ( e> .hfrs  
    國外相關標準化組織主要有國際電工委員會(IEC)、國際半導體設備與材料組織(SEMI)、國際照明委員會(CIE)。 8<z]rLQw?%  
    a3o4> 9  
    1.1 IEC 8;'fWV? U  
    IEC有關半導體照明標準主要由SC47E(半導體分立器件分技術委員會)和TC34(燈和相關設備技術委員會)制定。 \U^0E> d  
    " oWiQ{\IP  
    (1) SC47E o_un=ygU  
    該分技術委員會主要制定半導體分立器件相關技術領域用的標準,如文字符號、名詞術語、額定值和特性、測試方法、質量保證規(guī)范等。其中也包括非光通信系統(tǒng)用的半導體光電器件,如半導體激光器、光電耦合器、發(fā)光二極管、光電探測器件等。其中涉及半導體光電器件的工作組是WG4,其制定的與半導體發(fā)光二極管相關的標準見表1。 XhF7%KR  
    1UR ;}  
    Q/e$Ttt4J  
    7|~j=,HU+Z  
    (2) TC34 ^:JZ.r  
    該技術委員會主要制定日光燈及啟輝器、傳統(tǒng)燈及燈具、連接器、控制器等有關測試、安全標準。目前正在制定的LED 標準有: eBZ^YY<*g  
    — 照明用LED 安全; l=jfgsjc  
    — LED 連接器性能要求; vIk;x  
    — LED 控制器性能要求。 L0j&p[(r  
    t?[|oz:v  
    1.2 CIE }=kf52Am,}  
    作為照明光源,CIE已經和正在制定的半導體照明的標準有白光LED 光源的顏色重現(xiàn)和LED 的強度、光學特性和光度學特性的測量方法。IEC把LED作為一個顯示用半導體器件處理,側重于它的物理特性;而CIE更多地從照明角度把LED作為一個照明光源的部件處理。例如,發(fā)光(輻射)效能的定義。CIE定義:LED發(fā)出的光通量(輻射通量)與耗費電功率之比,IEC定義:LED發(fā)出的光通量(輻射通量)與耗費正向電流之比;CIE的發(fā)光效能要測三個物理量:總光通量、正向電流、正向電壓(或內阻),而IEC只需測量兩個物理量:總光通量、正向電流。IEC沒有選擇正向電壓是很明智的,因正向電壓會隨管芯溫度的升高而下降。明顯的不同還包括發(fā)光強度的測量距離和測量的外部條件。 aOWE\I c8  
    J{98x zb  
    1.3 SEMI E1,Sr?'  
    半導體發(fā)光二極管芯片的外延生長、材料、工藝、設備及貯運等方面有SEMI標準可供采用,但是否滿足生長大功率、高亮度半導體發(fā)光二極管芯片所要求的材料和工藝,還需要加以研究確定。 f< A@D"m/  
    ?sb Ob  
    #lA8yWxr  
    2 國內標準化現(xiàn)狀 >eHSbQu/Bu  
    !L3M\Q0  
    2.1 相關的標準化組織 &_Py{Cv@Dw  
    國內的相關標準化組織有:全國半導體器件標準化技術委員會、全國半導體設備和材料標準化技術委員會、全國照明電器標準化技術委員會、全國稀土標準化技術委員會。 h> K~<BAz'  
    }P[x Z_S1  
    2.2 相關的標準 @=KuoIV  
    作為早期顯示用的LED從屬于半導體器件標準體系,產品標準的頂層標準是GB/T 4589.1-1989《半導體器件分立器件和集成電路總規(guī)范》,這個總規(guī)范下有三個分規(guī)范:分立器件、集成電路和光電子器件,LED 從屬于GB/T12565-1990《半導體器件 光電子器件分規(guī)范》。產品詳細規(guī)范有顯示用發(fā)光二極管空白詳細規(guī)范和極少量的具體型號的產品標準(是電子行業(yè)標準)。半導體器件的基礎標準有術語、額定值和特性、測試方法和機械/環(huán)境試驗方法等, 其中有一部分標準內容涉及到LED 或LED 產品可采用的。這些標準見表2。 X2 {n&K  
    'jv[Gcss3L  
    vR m.# +Td  
    Aj`zT'  
    由于半導體照明二極管技術不僅僅與發(fā)光二極管有關,還涉及到封裝用的材料和封裝工藝,如熒光粉、硅- 藍寶石外延片、塑料及樹脂、引線框架。國家標準中也有一些涉及上述材料標準,見表3 。這些標準是否適用還有待進一步研究。
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