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研究人員研發(fā)出基于“電阻性記憶體”的新型存儲(chǔ)設(shè)備

發(fā)布：cyqdesign 2012-05-21 10:41 閱讀：2075
英國(guó)研究人員最近報(bào)告說，他們研發(fā)出一種基于“電阻性記憶體”的新型存儲(chǔ)設(shè)備，與現(xiàn)在廣泛使用的閃存相比，耗電量更低，而存取速度要快上一百倍。電阻性記憶體的基礎(chǔ)是憶阻材料，這種材料的特殊性在于，在外加電壓時(shí)其電阻會(huì)發(fā)生變化，隨后即使取消外加電壓，它也能“記住”這個(gè)電阻值。 Zg2F%f$Y  
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