LED制作
流程分為兩大部分。首先在襯低上制作氮化鎵（GaN）基的外延片，這個(gè)過(guò)程主要是在
金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積外延爐中完成的。準(zhǔn)備好制作 GaN 基外延片所需的
材料源和各種高純的氣體之后，按照
工藝的要求就可以逐步把外延片做好。常用的襯底主要有藍(lán)寶石、碳化硅和硅襯底，還有 GaAs、AlN、ZnO 等材料。MOCVD 是利用氣相反應(yīng)物（前驅(qū)物）及Ⅲ族的有機(jī)金屬和Ⅴ族的 NH3 在襯底表面進(jìn)行反應(yīng)，將所需的產(chǎn)物沉積在襯底表面。通過(guò)控制溫度、壓力、反應(yīng)物濃度和種類比例，從而控制
鍍膜成分、晶相等品質(zhì)。 MOCVD
RHVMlMX 外延爐是制作 LED外延片最常用的
設(shè)備。
[$-y8` ~( O_KL#xo $;$_N43 接下來(lái)是對(duì) LED PN結(jié)的兩個(gè)電極進(jìn)行加工，電極加工也是制作 LED芯片的關(guān)鍵工序，包括清洗、蒸鍍、黃光、化學(xué)蝕刻、熔合、研磨；然后對(duì) LED毛 片進(jìn)行劃片、測(cè)試和分選，就可以得到所需的 LED
芯片。如果晶片清洗不夠干凈，蒸鍍
系統(tǒng)不正常，會(huì)導(dǎo)致蒸鍍出來(lái)的金屬層（指蝕刻后的電極）會(huì)有脫落，金屬層外觀變色，金泡等異常。蒸鍍過(guò)程中有時(shí)需用彈簧夾固定晶片，因此會(huì)產(chǎn)生夾痕（在目檢必須挑除）。黃光作業(yè)內(nèi)容包括烘烤、上光阻、照相曝光、顯影等，若顯影不完全及光罩有破洞會(huì)有發(fā)光區(qū)殘多出金屬。晶片在前段制程中，各項(xiàng)制程如清洗、蒸鍍、黃光、化學(xué)蝕刻、熔合、研磨等作業(yè)都必須使用鑷子及花籃、載具等，因此會(huì)有晶粒電極刮傷情形發(fā)生。
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