APD雪崩光電二極管
提供兩種不同類型的雪崩光電二極管(APD),一種是硅基的,另一種是砷化鎵為基的。根據(jù)材料和設(shè)計的不同,范圍可以從550nm 到1650nm. IAE系列 InGaAs 雪崩二極管器件 品牌:Lasercomponents 封裝:S5,S6,S7,T6,T8,Y1 型號:IAE200S5(TO-46 2pin),IAE200S6(TO-46 3pin),IAE200S7(TO-46 low profile), IAE200T6(TO-37 with TEC),IAE200T8(TO-37 with TEC),IAE200Y1(ceramic submount) 擊穿電壓(Vb ld=10uA):40-80 尺寸(um):Φ200 波峰(nm):1550 響應(yīng)波段(nm):1000-1650 |




