據(jù)物理學家組織網近日報道，英國曼徹斯特大學的科研人員設計出一種新型石墨烯晶體管，在其中電子可借助隧穿和熱離子效應，同時從上方和下方穿越障礙，并在室溫下展現(xiàn)出高達1×106的開關比率。 _VVq&t}  
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    石墨烯晶體管獲得較高的開關比率一直難以實現(xiàn)，而有了高開關比，以及其在柔性、透明基板上的操作能力，新型晶體管能夠在后CMOS設備時代占有一席之地，并有望達到更快的計算速度。相關研究發(fā)表在近期出版的《自然·納米技術》雜志上。 1YQYZ^11  
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