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美國萊斯大學(xué)研發(fā)原子厚度新材料或助研發(fā)超薄器件

發(fā)布:cyqdesign 2014-12-25 11:05 閱讀:1941
據(jù)科學(xué)日報(bào)報(bào)道,美國萊斯大學(xué)研發(fā)的一個(gè)原子級(jí)薄的材料,這或可能導(dǎo)致研發(fā)目前最薄的成像平臺(tái)。基于金屬硫族化合物的合成二維材料可能是超薄設(shè)備的基礎(chǔ),萊斯大學(xué)的研究人員這樣表示。其中一個(gè)這樣的材料二硫化鉬,因其檢測光的特性而被廣泛研究,但是銅銦硒化物(CIS)也表現(xiàn)出同樣非凡的潛力。 4&{!M _  
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萊斯大學(xué)材料學(xué)科學(xué)家普利克爾·阿加延(Pulickel Ajayan)實(shí)驗(yàn)室的研究生雷思東(Sidong Lei)合成了CIS,一種單層銅、銦和硒原子矩陣。雷還建立了一個(gè)模型——一個(gè)三像素電荷耦合器件(CCD)——以證明材料捕捉圖像的能力。這項(xiàng)研究被發(fā)表在美國化學(xué)協(xié)會(huì)的期刊《納米快報(bào)》上。 d2~l4IL)~  
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雷表示這種光電子記憶材料可能是捕捉圖像的二維電子元件的重要組成部分。“傳統(tǒng)的電荷耦合器件厚重且堅(jiān)硬,將它們與二維元素相結(jié)合是沒有意義的。”雷解釋道。“而基于銅銦硒化物的電荷耦合器件非常薄、透明和靈活,這正是二維成像器件所缺失的。” <7'&1= %r  
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