科學家在碳納米管晶體管制造技術(shù)上獲得一項突破
美國威斯康星大學麥迪遜分校的科學家日前在碳納米管晶體管制造技術(shù)上獲得了一項突破。由其開發(fā)出的新型高性能碳納米管晶體管成功突破了純度和陣列控制兩大難題,在開關(guān)速度上獲得了比普通硅晶體管快1000倍,比此前最快的碳納米管晶體管快100倍的成績。碳納米管晶體管向正式商用邁出了關(guān)鍵一步。相關(guān)論文發(fā)表在《美國化學學會·納米》雜志上。 碳納米管是將單層的碳原子薄片卷起形成的管狀材料,作為一種半導體材料,碳納米管有很多優(yōu)于硅的天然屬性,其中的電子可以比硅晶體管更輕松地轉(zhuǎn)移,實現(xiàn)更快速的數(shù)據(jù)傳輸,很早就被認為是制造下一代晶體管的理想材料。此外,這種材料還具備很好的強度和柔性,可以用來制造柔性顯示器和電子設(shè)備,經(jīng)得起拉伸與彎曲,讓電子設(shè)備能夠集成到衣服或其他可穿戴設(shè)備上。 然而,制造高性能的碳納米管晶體管面臨著兩大技術(shù)難題。一是要達到極高的純度,因為碳納米管中的金屬雜質(zhì)會像銅線一樣導致設(shè)備短路,只有高純度才能獲得高效率;二是精度極高的陣列控制,要將數(shù)量眾多的碳納米管塞進指甲蓋大小的芯片就必須精確地控制好各個碳納米管之間的距離。 在新的研究中,威斯康星大學麥迪遜分校材料學副教授邁克爾·阿諾德和帕德瑪·高普蘭教授領(lǐng)導的研究團隊成功突破了這兩個難關(guān)。憑借在碳納米管領(lǐng)域二十多年的積累,他們使用聚合體篩選技術(shù)找到了制造高純度碳納米管半導體的解決方案。而后又用一種被稱為“浮動蒸發(fā)自組裝(FESA)”的技術(shù)解決了碳納米管的陣列問題。 |




