芯片工藝及光電特性介紹，43頁PPT文檔，需要的下載。 )T';qm0w  
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半導體激光器具體設計： G;&-\0>W  
根據(jù)不同的應用要求需要激光器有許多不同的設計： iJ~Zkd  
據(jù)光纖通信系統(tǒng)的要求，發(fā)射器件一般采用1310nm、1550nm波長的F-P或DFB結構大功率、高線性以及溫度特性好的器件：普通采用InGaAsP/InP材料系MQW有源層設計，如果要求較大溫度范圍內工作的無制冷激光器可以采用AlGaInAs/InP材料系MQW有源層設計；根據(jù)應用要求可以制作F-P、DFB結構 ，根據(jù)波導結構可以制作RWG和BH兩種  。 {)
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