在02國(guó)家重大專(zhuān)項(xiàng)的支持下，中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所在石墨烯研究中取得新進(jìn)展：采用銅蒸氣輔助，在Cu-Ni合金襯底上實(shí)現(xiàn)AB堆垛雙層石墨烯（ABBG）的快速生長(zhǎng)，典型單晶疇尺寸約300微米，生長(zhǎng)時(shí)間約10分鐘，速度比現(xiàn)有報(bào)道提高約一個(gè)數(shù)量級(jí)。研究論文于2月24日在small 上在線發(fā)表（C. Yang, et al., Copper-Vapor-Assisted Rapid Synthesis of Large AB-Stacked Bilayer Graphene Domains on Cu-Ni Alloy, DOI: 10.1002/smll.201503658）。 9.Ap~Ay.  
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ABBG可以通過(guò)電場(chǎng)產(chǎn)生可調(diào)帶隙，對(duì)于石墨烯在邏輯器件及光電子器件等方向的應(yīng)用具有重要價(jià)值，但如何快速生長(zhǎng)大晶疇ABBG仍然是一個(gè)亟待解決的技術(shù)難題。傳統(tǒng)Cu襯底上的表面催化機(jī)理由于自限制效應(yīng)嚴(yán)重阻礙了第二層石墨烯的生長(zhǎng)，而Ni襯底上的溶解析出機(jī)制存在層數(shù)不均、晶核大小難以控制等難題。 <3#<I)#  
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