日本東曹公司通過向透明導(dǎo)電
薄膜用的氧化鋅摻雜鋁,開發(fā)出"ZAO"靶材,并已開始供應(yīng)樣品。該材料有望替代ITO(氧化銦錫)靶材,用于
液晶顯示器TFT(薄膜
晶體管)的像素電極、TN(扭曲向列)液晶和太陽能電池。已制成可用于TFT的膜厚為100nm、電阻率為10-4Ωcm的ZAO透明導(dǎo)電薄膜。
<d~P;R(@ )tGeQXVhbJ 該公司在80年代后期就開發(fā)了摻雜鋁的氧化鋅靶材,并獲取專利。但是,由于不能獲得低于ITO的電阻率,且當(dāng)時銦的供應(yīng)比較充足,因此該技術(shù)一直沒有實際應(yīng)用。直到2003年以后,銦價上漲,市場迫切需要ITO替代材料,才促使該公司對原來的技術(shù)進行改進,開發(fā)出ZAO靶材。該技術(shù)可提供不用更換現(xiàn)有
LCD生產(chǎn)線設(shè)備就能使用的材料。
2%"2~d7 rmmN2+H ZAO靶材的制造方法是將氧化鋅粉末和鋁粉末混合,然后進行成型、燒結(jié)、加工、粘結(jié)。除原料外其他工藝與制造ITO靶材相同。靶材尺寸也與ITO相同。
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