Intel、TSMC及三星三大半導(dǎo)體工廠今年將量產(chǎn)10nm工藝，他們中進度快的甚至準(zhǔn)備在明年上馬7nm工藝，2020年前后則要推出5nm工藝。但是隨著制程工藝的升級，半導(dǎo)體工藝也越來越逼近極限了，制造難度越來越大，5nm之后的工藝到現(xiàn)在為止都沒有明確的結(jié)論，晶體管材料、工藝都需要更新。在這一點上，美國又走在了前列，美國布魯克海文國家實驗室的科研人員日前宣布實現(xiàn)了1nm工藝制造。 zx7{U8*`<  
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來自EETimes的報道稱，美國能源部（DOE）下屬的布魯克海文國家實驗室的科研人員日前宣布創(chuàng)造了新的世界記錄，他們成功制造了尺寸只有1nm的印刷設(shè)備，使用還是電子束印刷工藝而非傳統(tǒng)的光刻印刷技術(shù)。 [ikOb8 G#  
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