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2006-11-28 15:03 |
激光測距專用雪崩光電二極管(APD)
激光測距專用雪崩光電二極管(APD) S!+c1q:
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激光測距專用雪崩光電二極管(APD)雪崩光電二極管供 供雪崩光電二極管(APD) 暗電流小頻譜響應(yīng)范圍在440nm至1,100nm之間 eTg8I/ )%B
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光電探測器是將光信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘?hào)的器件。在半導(dǎo)體光電探測器中，入射光子激發(fā)出的光生載流子在外加偏壓下進(jìn)入外電路后，形成可測量的光電流。PIN光電二極管即使在最大的響應(yīng)度下,一個(gè)光子最多也只能產(chǎn)生一對(duì)電子-空穴對(duì),是一種無內(nèi)部增益的器件。為了獲得更大的響應(yīng)度,可以采用雪崩光電二極管(APD)。APD對(duì)光電流的放大作用基于電離碰撞效應(yīng),在一定的條件下,被加速的電子和空穴獲得足夠的能量,能夠與晶格碰撞產(chǎn)生一對(duì)新的電子-空穴對(duì),這種過程是一種連鎖反應(yīng),從而由光吸收產(chǎn)生的一對(duì)電子-空穴對(duì)可以產(chǎn)生大量的電子-空穴對(duì)而形成較大的二次光電流。因此APD具有較高的響應(yīng)度和內(nèi)部增益，這種內(nèi)部增益提高了器件的信噪比。APD將主要應(yīng)用于長距離或接收光功率受到其它限制而較小的光纖通信系統(tǒng)。目前很多光器件專家對(duì)APD的前景十分看好 Nq]8p =e
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雪崩光電二極管（APD）單光子探測器
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雪崩光電二極管不同于光電倍增管，它是一種建立在內(nèi)光電效應(yīng)基礎(chǔ)上的光電器件。雪崩光電二極管具有內(nèi)部增益和放大的作用，一個(gè)光子可以產(chǎn)生10~100對(duì)光生電子空穴對(duì)，從而能夠在器件內(nèi)部產(chǎn)生很大的增益。雪崩光電二極度管工作在反向偏壓下，反向偏壓越高，耗盡層當(dāng)中的電場強(qiáng)度也就越大。當(dāng)耗盡層中的電場強(qiáng)度達(dá)到一定程度時(shí)（材料不同，電場大小也不一樣，如：Si-APD為105V/cm），耗盡層中的光生電子空穴對(duì)就會(huì)被電場加速，而獲得巨大的動(dòng)能，它們與晶格發(fā)生碰撞，就會(huì)產(chǎn)生新的二次電離的光生電子空穴對(duì)，新的電子空穴對(duì)又會(huì)在電場的作用下獲得足夠的動(dòng)能，再一次與晶格碰撞又產(chǎn)生更多的光生電子空穴對(duì)，如此下去，形成了所謂的“雪崩”倍增，使信號(hào)電流放大。 OBb m?`[
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低噪聲、快響應(yīng)、高靈敏度、高帶寬、低造價(jià)，主要用于雪崩光電二極管單光子探測器，激光探測、測距、激光測距機(jī)、激光經(jīng)緯儀 警戒雷達(dá)。 gB7kb$J
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雪崩光電二極管不同于光電倍增管，它是一種建立在內(nèi)光電效應(yīng)基礎(chǔ)上的光電器件。雪崩光電二極管具有內(nèi)部增益和放大的作用，一個(gè)光子可以產(chǎn)生10~100對(duì)光生電子空穴對(duì)，從而能夠在器件內(nèi)部產(chǎn)生很大的增益。雪崩光電二極度管工作在反向偏壓下，反向偏壓越高，耗盡層當(dāng)中的電場強(qiáng)度也就越大。當(dāng)耗盡層中的電場強(qiáng)度達(dá)到一定程度時(shí)（材料不同，電場大小也不一樣，如：Si-APD為105V/cm），耗盡層中的光生電子空穴對(duì)就會(huì)被電場加速，而獲得巨大的動(dòng)能，它們與晶格發(fā)生碰撞，就會(huì)產(chǎn)生新的二次電離的光生電子空穴對(duì)，新的電子空穴對(duì)又會(huì)在電場的作用下獲得足夠的動(dòng)能，再一次與晶格碰撞又產(chǎn)生更多的光生電子空穴對(duì)，如此下去，形成了所謂的“雪崩”倍增，使信號(hào)電流放大。 bG0
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低噪聲、快響應(yīng)、高靈敏度、高帶寬、低造價(jià)，主要用于雪崩光電二極管單光子探測器，激光探測、測距、激光測距機(jī)、激光經(jīng)緯儀 警戒雷達(dá)。 cNbH:r"Ay
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雪崩光電二極管不同于光電倍增管，它是一種建立在內(nèi)光電效應(yīng)基礎(chǔ)上的光電器件。雪崩光電二極管具有內(nèi)部增益和放大的作用，一個(gè)光子可以產(chǎn)生10~100對(duì)光生電子空穴對(duì)，從而能夠在器件內(nèi)部產(chǎn)生很大的增益。雪崩光電二極度管工作在反向偏壓下，反向偏壓越高，耗盡層當(dāng)中的電場強(qiáng)度也就越大。當(dāng)耗盡層中的電場強(qiáng)度達(dá)到一定程度時(shí)（材料不同，電場大小也不一樣，如：Si-APD為105V/cm），耗盡層中的光生電子空穴對(duì)就會(huì)被電場加速，而獲得巨大的動(dòng)能，它們與晶格發(fā)生碰撞，就會(huì)產(chǎn)生新的二次電離的光生電子空穴對(duì)，新的電子空穴對(duì)又會(huì)在電場的作用下獲得足夠的動(dòng)能，再一次與晶格碰撞又產(chǎn)生更多的光生電子空穴對(duì)，如此下去，形成了所謂的“雪崩”倍增，使信號(hào)電流放大。 BiY-u/bH9a
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低噪聲、快響應(yīng)、高靈敏度、高帶寬、低造價(jià)，主要用于雪崩光電二極管單光子探測器，激光探測、測距、激光測距機(jī)、激光經(jīng)緯儀 警戒雷達(dá)。 3Pu8IXW
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